[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，可以不损失耐压，实现低损失化。在第二导电型的第三半导体区域(110)的一部分中设置有第一导电型的第四半导体区域(122)。由此，提高了将第五半导体区域(151)的面载流子浓度增大时的耐压。

主权项

1、一种半导体装置，与半导体基体的一个面侧相接触地设置集电极电极，具备：第一层部，其从该一面侧开始，层叠有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域和具有比该第二半导体区域的载流子浓度低的载流子浓度的第二导电型的第三半导体区域；第二层部，其包括：层叠于上述第三半导体区域的一部分上且具有载流子浓度比上述第三半导体区域的载流子浓度高的第一导电型的第四半导体区域；层叠于该第四半导体区域的第二导电型的第五半导体区域；层叠于该第五半导体区域的第一导电型的第六半导体区域；层叠于该第六半导体区域的一部分上，且具有载流子浓度比上述第六半导体区域的载流子浓度高的第二导电型的第七半导体区域；栅极电极，其与在上述第二层部中包含的半导体区域相接触地设置栅极绝缘膜，隔着该栅极绝缘膜沿着上述第二层部配置；以及发射极电极，其与上述第二层部的第七半导体区域低电阻接触。