[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，与半导体基体的一个面侧相接触地设置集电极电极，具备：

第一层部，其从该一面侧开始，层叠有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域和具有比该第二半导体区域的载流子浓度低的载流子浓度的第二导电型的第三半导体区域；

第二层部，其包括：层叠于上述第三半导体区域的一部分上且具有载流子浓度比上述第三半导体区域的载流子浓度高的第一导电型的第四半导体区域；层叠于该第四半导体区域的第二导电型的第五半导体区域；层叠于该第五半导体区域的第一导电型的第六半导体区域；层叠于该第六半导体区域的一部分上，且具有载流子浓度比上述第六半导体区域的载流子浓度高的第二导电型的第七半导体区域；

栅极电极，其具有沟槽形状，与在上述第二层部中包含的半导体区域相接触地设置栅极绝缘膜，隔着该栅极绝缘膜沿着上述第二层部配置；以及

发射极电极，其与上述第二层部的第七半导体区域低电阻接触；

设置有多个上述沟槽，

不存在上述第二层部的上述沟槽的间隔，比夹着上述第二层部而相邻的上述沟槽的间隔宽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第四半导体区域内，载流子浓度的面密度为1×1012/cm2以上，

在上述第五半导体区域中，载流子浓度的密度为1×1017/cm3以下，

上述沟槽，在其一方的侧面上与上述第二层部中所包含的各个半导体区域相接触，在另一方的侧面上相接触有第一导电型的第八半导体区域，该第八半导体区域，其一部分与上述第三半导体区域内相接触而层叠，具有比上述第三半导体区域的载流子浓度高的载流子浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述发射极电极所接触的上述第七半导体区域的面，与上述第三、第四、第五、第六半导体区域的和上述栅极氧化膜相接触的面位于大致同一平面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极氧化膜形成在沟槽的侧面，该沟槽沿着在上述第二层部中包含的各个半导体区域向第一层部延伸并到达上述第三半导体区域。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第六半导体区域内形成有第二导电型的第九半导体区域，该第九半导体区域介于上述第七半导体区域和在上述沟槽侧面形成的栅极氧化膜之间。