[发明专利]HEMT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810098658.5 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101320751A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张乃千 | 申请（专利权）人： | 西安能讯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;刘瑞东 |
| 地址： | 710075陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面，提供了一种HEMT器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅，该栅极和至少一个浮栅为双层结构，其中上层为导电层，下层为第一介质层。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种HEMT器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅，该栅极和至少一个浮栅为双层结构，其中上层为导电层，下层为第一介质层。
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