[发明专利]HEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种HEMT器件，包括：

在衬底上的半导体层；

在上述半导体层上的隔离层；

与上述隔离层接触的源极和漏极；以及

在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅，该栅极和至少一个浮栅为双层结构，其中上层为导电层，下层为第一介质层。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，还包括在上述隔离层上的上述源极和漏极之间的区域上的第二介质层。

3.根据权利要求2所述的HEMT器件，其中，上述第二介质层完全包裹上述栅极和至少一个浮栅。

4.根据权利要求2所述的HEMT器件，其中，除了在上述隔离层与上述栅极和至少一个浮栅之间的区域，上述第二介质层包裹上述栅极和至少一个浮栅。

5.根据权利要求1-4中任何一项所述的HEMT器件，其中上述半导体层包括GaN。

6.根据权利要求1-4中任何一项所述的HEMT器件，其中上述第一介质层包括可降低栅极漏电流的介质材料。

7.根据权利要求6所述的HEMT器件，其中上述第一介质层包括SiO₂。

8.根据权利要求2-4中任何一项所述的HEMT器件，其中上述第二介质层包括可降低器件电流崩塌效应的介质材料。

9.根据权利要求8所述的HEMT器件，其中上述第二介质层包括SiN。

10.根据权利要求1-4中任何一项所述的HEMT器件，还包括在上述半导体层中形成的二维电子气。

11.一种用于制造HEMT器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上沉积半导体层；

在上述半导体层上沉积隔离层；

形成与上述隔离层接触的源极和漏极；

在上述隔离层上的上述源极和漏极之间的区域上沉积第一介质层；

在上述第一介质层上形成栅极导体和至少一个浮栅导体；以及

将上述栅极导体和至少一个浮栅导体作为掩模，蚀刻上述第一介质层，以形成由上述栅极导体和上述第一介质层构成的叠层栅极，和由上述至少一个浮栅导体和上述第一介质层构成的至少一个叠层浮栅。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在上述隔离层上的上述源极和漏极之间的区域上沉积第一介质层的步骤之前，在上述隔离层上的上述源极和漏极之间的区域上沉积第二介质层的步骤。

13.根据权利要求11或12所述的方法，还包括在上述蚀刻上述第一介质层的步骤之后，在上述第一介质层被蚀刻掉的区域上沉积第二介质层，以用上述第二介质层包裹上述叠层栅极和至少一个叠层浮栅。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其中上述半导体层包括GaN。

15.根据权利要求11或12所述的方法，其中上述第一介质层包括可降低栅极漏电流的介质材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中上述第一介质层包括Si0₂。

17.根据权利要求11或12所述的方法，其中上述第二介质层包括可降低器件电流崩塌效应的介质材料。

18.根据权利要求17所述的方法，其中上述第二介质层包括SiN。