[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200810097176.8 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101308798A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 宣钟元 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在形成硅膜的同时，通过注入或加入搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件作为掩模，形成源极和漏极区域。如上所述，本方法在形成硅的同时执行离子注入或结合掺杂剂离子，以形成多晶硅，从而能够在现有的离子注入过程中省略清洁和热处理工序。因此，与现有的栅极形成方案相比，本发明能够大大减少运行周期，从而能够改善半导体器件的生产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在形成硅膜的同时，通过沉积搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件作为掩模，形成源极和漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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