[发明专利]半导体器件制造方法

说明书

基于35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申请要求2007年5月17日申请的申请号为10-2007-0047981的韩国专利申请的优先权，在此通过参考引入其全文。

技术领域

本发明的实施例涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

在现有技术的半导体器件中，可以用多晶硅形成栅极，以减小栅电极电容并改善电路的开关特性。一般是通过将离子注入多晶硅层而形成栅电极。将离子注入多晶硅层，然后执行清洁工序来清洁在进行离子注入时所产生的杂质和离子等。并且，在形成了经注入杂质的多晶硅层后，可再执行清洁工序来清洁在热处理工序中产生的杂质。换句话说，在形成经注入杂质的多晶硅层的步骤中可包括离子注入工序和热处理工序。

发明内容

本发明的实施例提供用以形成栅极时的简化工序，其能够缩短制造时间。

本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在形成硅膜的同时，通过注入或另外沉积搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件作为掩模，形成源极和漏极区域。

如上所述，本方法在形成硅的同时执行离子注入或结合掺杂剂离子，以形成多晶硅，从而能够在现有的离子注入过程中省略清洁和热处理工序。因此，与现有的栅极形成方案相比，本发明能够大大减少运行周期，从而能够改善半导体器件的生产能力。

附图说明

图1至图4为示出制造半导体器件的示例性方法的剖面图

具体实施方式

将参考附图对实施例进行详细描述。

下面，将参考附图对本发明的实施例进行具体描述。

在对实施例的描述中，当一个层被形成于下层结构或底层“之上”和/或“上方”时，形成在“之上”或“上方”的层包括直接形成于底层结构之上或形成于底层上方的所有组件，在该底层结构或底层上可以存在一个或多个其他层。

在附图中，可以对厚度或尺寸进行夸大、省略或简化，以便更好地示出和解释本发明。而且也并非一定要按比例绘出每个组件的尺寸。

下面将参考图1至图4对根据本发明的半导体器件制造方法进行描述。

如图1所示，通过图案化和选择性蚀刻半导体衬底10而形成沟槽。可以沿着该沟槽的侧壁和底部生长薄衬垫氧化物，并可在其上沉积薄氮化硅层。然后，在该沟槽内沉积硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)或氧化硅(SiO₂)膜(例如，用来填充该沟槽中存留的间隙)，并在其上执行化学机械抛光工序，以此来形成器件隔离层20。该器件隔离层20是用来绝缘或电性隔离不同器件的区域，该不同器件稍后将形成在半导体衬底10上。

在形成器件隔离层20后，例如通过现有的湿法或干法热氧化处理而在半导体衬底10上生长氧化物膜，并在此处描述的热氧化膜上沉积经掺杂的多晶硅层。图案化该热氧化膜和经掺杂的多晶硅层，以形成如图2所示的栅极氧化物图案30和多晶硅图案40。在该器件的栅极区域由该氧化物膜形成栅极氧化物。