[发明专利]具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构有效

专利信息
申请号: 200810096766.9 申请日: 2004-07-30
公开(公告)号: CN101290945A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: B·A·麦克卢尔 申请(专利权)人: 微米技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/148;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/84;H01L21/768
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;王小衡
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构。像素单元具有两个串联电容器,其中每个电容器的电容接近外围电容器的电容,以使串联电容器的有效电容小于每个外围电容器的电容。串联电容器连接到浮动扩散(FD)区,用于在饱和状态期间接收来自FD区的“剩余”电荷。
搜索关键词: 具有 降低 工艺 变化 敏感度 成像 光电二极管 电容器 结构
【主权项】:
1.一种形成像素单元的方法,包括:提供衬底,在所述衬底中形成光敏器件;将电荷收集区连接到所述光敏器件;形成相互串联的至少两个存储电容器;在所述串联电容器和所述电荷收集区之间形成触点,使得所述串联电容器与所述电荷收集区串联。
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