[发明专利]抵消电迁移的方法无效
| 申请号： | 200810095528.6 | 申请日： | 2008-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101567325A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 何政恩;巫维翔 | 申请（专利权）人： | 元智大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抵消电迁移的方法如下所述，此抵消电迁移的方法适用于一芯片封装体中的焊点结构。首先，提供一芯片封装体，芯片封装体包括一线路板、一芯片以及多个焊点结构。其中芯片配置于线路板上，焊点结构配置于线路板与芯片之间，并电性连接芯片与线路板。然后，于焊点结构的一侧交替施加一第一电流与一第二电流，其中第一电流与第二电流方向相反，第一电流与第二电流的电流密度皆为104A/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 抵消 迁移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抵消电迁移的方法，适用于一芯片封装体中的焊点结构，包括：提供一芯片封装体，该芯片封装体包括一线路板、一芯片以及多个焊点结构，其中该芯片配置于该线路板上，该些焊点结构配置于该线路板与该芯片之间并电性连接该芯片与该线路板；以及于该些焊点结构的一侧交替施加一第一电流与一第二电流，其中该第一电流与该第二电流方向相反，该第一电流与该第二电流的电流密度皆为104A/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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