[发明专利]用以更新可编程电阻存储器的方法与装置有效
| 申请号： | 200810095424.5 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101295539A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈介方;陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于具有可编程电阻存储元件(例如硫属化物材料元素)的非易失性存储单元，进行更新操作。更新操作包括一加热信号与一冷却信号，其中加热信号的功率是比复位信号高，而冷却信号的维持时间则比设置信号长。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 更新 可编程 电阻 存储器 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性集成电路，其特征在于，包括：至少一非易失性存储单元，其包括：一可编程电阻元件其具有多个物体状态以储存数据；控制电路，其是用以施加多个电气信号至该至少一非易失性存储单元，该多个电气信号包括：多个信号，其是施加至该至少一非易失性存储单元以储存数据，包括：一复位信号，其是致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件，储存该多个物理状态的一第一物理状态；一设置信号，其是致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件，储存该多个物理状态的一第二物理状态；多个信号，其是施加至该至少一非易失性存储单元以维持该至少一非易失性存储单元的储存数据能力，包括：一加热信号，其是致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件储存该多个物理状态的该第一物理状态，其中施加至该可编程电阻元件的该加热信号是以高于该复位信号的功率进行；一冷却信号，其是致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件储存该多个物理状态的该第二物理状态，其中施加至该可编程电阻元件的该冷却信号其持续时间是大于该设置信号。
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