[发明专利]用以更新可编程电阻存储器的方法与装置

权利要求书

1.一种非易失性集成电路，其特征在于，包括：

至少一非易失性存储单元，其包括：

一可编程电阻元件其具有多个物理状态以储存数据；

控制电路，其是用以施加多个电气信号至该至少一非易失性存储单元，该多个电气信号包括：

多个信号，其是施加至该至少一非易失性存储单元以使该至少一非易失性存储单元储存数据，该多个信号包括：

一复位信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件来储存该多个物理状态的一第一物理状态；

一设置信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件来储存该多个物理状态的一第二物理状态；

多数个信号，用以施加至该至少一非易失性存储单元以维持该至少一非易失性存储单元的储存数据能力，该多数个信号包括：

一加热信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件储存该多个物理状态的该第一物理状态，其中施加至该可编程电阻元件的该加热信号是以高于该复位信号的功率进行；

一冷却信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件储存该多个物理状态的该第二物理状态，其中施加至该可编程电阻元件的该冷却信号其持续时间是大于该设置信号。

2.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中该至少一非易失性存储单元的寿命是至少为一千万次复位与设置信号循环。

3.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中在当多个复位与设置信号循环发生或即将发生的一段时间区间以后，该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号。

4.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中在当多个复位与设置信号循环发生或即将发生的一段时间区间以后，该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号，

其中该时间区间是由一定时器所决定。

5.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中在当多个复位与设置信号循环发生或即将发生的一段时间区间以后，该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号，

其中该时间区间是由计数该复位与设置信号的循环数目而决定。

6.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中在当多个复位与设置信号循环发生或即将发生的一段时间区间以后，该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号，

其中该时间区间是由该复位与设置信号的随机数目循环所决定。

7.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中在当多个复位与设置信号循环发生或即将发生的一段时间区间以后，该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号，

其中该时间区间是在该至少一非易失性存储单元无法正确地响应至该复位信号时终止。

8.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中在当多个复位与设置信号循环发生或即将发生的一段时间区间以后，该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号，

其中该时间区间是在该至少一非易失性存储单元无法正确地响应至该设置信号时终止。

9.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中该控制电路在一包括有该非易失性集成电路的一机构启动时施加至少一循环的该加热与冷却信号。

10.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中该控制电路在施加任何一复位与设置信号之前，施加至少一循环的加热与冷却信号。

11.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中该加热信号的施加使得该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件成为非晶态。

12.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中该冷却信号的施加使得该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件成为结晶态。

13.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号，该循环包括多个加热信号之后接着是至少一冷却信号。

14.根据权利要求1所述的非易失性集成电路，其特征在于，其中该控制电路施加至少一循环的该加热与冷却信号，该循环包括至少一加热信号之后接着是多个冷却信号。