[发明专利]支撑销的制造方法、支撑销、热处理装置以及基板烧成炉无效
| 申请号： | 200810093351.6 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101290902A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;村冈祐介;宫路恭祥 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;株式会社未来视野 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;F27B17/00;F27D3/12;C23C16/458;B29C45/00;B29K96/00;B29K77/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种支撑销的制造方法、支撑销、热处理装置以及基板烧成炉，该支撑销对被实施加热处理的基板进行支撑，对热分解、氧化分解具有高度的耐久性。首先，将主体部(101)的成形材料(优选树脂)在氧气以及/或者水分的含有浓度为10ppm以下的环境下射出成形为给定的销形状来形成支撑销(100)的主体部(101)。接着，在所得到的主体部(101)的表面，通过静电粉末涂装形成氟碳膜(102)。由此，得到对被实施加热处理的基板进行支撑的支撑销(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 制造 方法 热处理 装置 以及 烧成 | ||
【主权项】：
1、一种支撑销的制造方法，该支撑销用于对被实施加热处理的基板进行支撑，其特征在于，具有：射出成形工序，将树脂材料在氧气以及/或者水分的含有浓度为10ppm以下的环境下，射出成形为给定的销形状来获得成形品；保护膜形成工序，在上述成形品的表面上形成保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东北大学;株式会社未来视野，未经国立大学法人东北大学;株式会社未来视野许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810093351.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有刀座的圆杆刀具
- 下一篇：硅基液晶显示器及其封装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
