[发明专利]支撑销的制造方法、支撑销、热处理装置以及基板烧成炉无效
| 申请号： | 200810093351.6 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101290902A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;村冈祐介;宫路恭祥 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;株式会社未来视野 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;F27B17/00;F27D3/12;C23C16/458;B29C45/00;B29K96/00;B29K77/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑 制造 方法 热处理 装置 以及 烧成 | ||
1.一种支撑销的制造方法，该支撑销用于对被实施加热处理的基板进行支撑，其特征在于，具有：
射出成形工序，将树脂材料在氧气的含有浓度为10ppm以下的环境下，射出成形为给定的销形状来获得成形品；
保护膜形成工序，在上述成形品的表面上形成氟碳膜作为保护膜。
2.如权利要求1所述的支撑销的制造方法，其特征在于，上述保护膜形成工序具有通过静电粉末涂装向上述成形品的表面喷涂氟树脂粉末的涂装工序。
3.如权利要求1或2的所述支撑销的制造方法，其特征在于，上述保护膜形成工序具有：在比使用上述支撑销时的加热处理温度更高的温度下，烧成表面已被上述保护膜覆盖的上述成形品的烧成工序。
4.如权利要求1所述的支撑销的制造方法，其特征在于，上述树脂材料为导电性聚醚醚酮。
5.如权利要求1所述的支撑销的制造方法，其特征在于，上述树脂材料为全芳香族聚酰亚胺树脂。
6.一种支撑销，其特征在于，通过具有射出成形工序和保护膜形成工序的支撑销的制造方法制造，所述射出成形工序是将树脂材料在氧气的含有浓度为10ppm以下的环境下，射出成形为给定的销形状来获得成形品的工序，所述保护膜形成工序是在上述成形品的表面上形成氟碳膜作为保护膜的工序。
7.一种热处理装置，用于对基板执行加热处理，其特征在于，
具有对被实施上述加热处理的上述基板进行支撑的支撑销；
上述支撑销通过具有射出成形工序和保护膜形成工序的支撑销的制造方法来制造，
所述射出成形工序是将树脂材料在氧气的含有浓度为10ppm以下的环境下，射出成形为给定的销形状来获得成形品的工序，
保护膜形成工序是在上述成形品的表面上形成氟碳膜作为保护膜的工序。
8.一种基板烧成炉，用于对基板执行烧成处理，其特征在于，
具有对被实施上述烧成处理的上述基板进行支撑的支撑销，
上述支撑销通过具有射出成形工序和保护膜形成工序的支撑销的制造方法来制造，
所述射出成形工序是将树脂材料在氧气的含有浓度为10ppm以下的环境下，射出成形为给定的销形状来获得成形品的工序，
保护膜形成工序是在上述成形品的表面上形成氟碳膜作为保护膜的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
