[发明专利]存储器单元阵列有效
申请号: | 200810093035.9 | 申请日: | 2008-04-15 |
公开(公告)号: | CN101290801A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 池育德;徐德训 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/04;H01L27/115;G11C16/08 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨;吴世华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了存储器单元阵列,以多行与多列排列。该阵列包括第一方向的第一编程线,其中,该第一编程线连接于该阵列第一行的存储器单元的编程栅;该第一方向的第一擦除线,其中,该第一擦除线连接于该阵列第一行的该存储器单元的擦除栅;以及,该第一方向的第一字线,其中,该第一字线连接于该阵列第一行的该存储器单元的字线节点。本发明的优点在于减少存储器单元的大小、减低编程扰动、以及按页擦除的能力。 | ||
搜索关键词: | 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】:
1、一种存储器单元阵列,以多行及多列排列,所述存储器单元阵列包括:第一方向的第一编程线,其中,所述第一编程线连接于所述阵列的第一行的存储器单元的编程栅;所述第一方向的第一擦除线,其中,所述第一擦除线连接于所述阵列的所述第一行的存储器单元的擦除线;以及所述第一方向的第一字线,其中,所述第一字线连接于所述阵列的所述第一行的存储器单元的字线节点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810093035.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。