[发明专利]存储器单元阵列有效

专利信息
申请号: 200810093035.9 申请日: 2008-04-15
公开(公告)号: CN101290801A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 池育德;徐德训 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/04;H01L27/115;G11C16/08
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨;吴世华
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了存储器单元阵列,以多行与多列排列。该阵列包括第一方向的第一编程线,其中,该第一编程线连接于该阵列第一行的存储器单元的编程栅;该第一方向的第一擦除线,其中,该第一擦除线连接于该阵列第一行的该存储器单元的擦除栅;以及,该第一方向的第一字线,其中,该第一字线连接于该阵列第一行的该存储器单元的字线节点。本发明的优点在于减少存储器单元的大小、减低编程扰动、以及按页擦除的能力。
搜索关键词: 存储器 单元 阵列
【主权项】:
1、一种存储器单元阵列,以多行及多列排列,所述存储器单元阵列包括:第一方向的第一编程线,其中,所述第一编程线连接于所述阵列的第一行的存储器单元的编程栅;所述第一方向的第一擦除线,其中,所述第一擦除线连接于所述阵列的所述第一行的存储器单元的擦除线;以及所述第一方向的第一字线,其中,所述第一字线连接于所述阵列的所述第一行的存储器单元的字线节点。
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