[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

第一半导体元件1被掩埋在第一绝缘材料2中；第二半导体元件5被第二绝缘材料6覆盖；连接电极4被掩埋在布置于第一半导体元件1的电路表面和第二半导体元件5的电路表面之间的第一绝缘材料2中；外部接线端子8布置在第一绝缘材料2的下表面上，该下表面面向和第一半导体元件的电路表面相反的第一半导体元件的下表面相同的方向；连接电极4形成用于使第一半导体元件1的电路表面和第二半导体元件5的电路表面相互电连接的通路的一部分；第一半导体元件1和外部接线端子8借助布线3和穿过绝缘层的除了掩埋连接电极4的绝缘层区域之外的区域的通路7相互电连接。

主权项

1.一种半导体器件，具有：第一半导体元件和第二半导体元件，它们各自的电路表面侧彼此相对定位；所述第一半导体元件的侧面的至少一部分被掩埋在第一绝缘材料中；所述第二半导体元件的至少所述电路表面由第二绝缘材料覆盖；连接电极，其被掩埋在布置于所述第一半导体元件的所述电路表面和所述第二半导体元件的所述电路表面之间的绝缘层中；外部接线端子，其被布置在所述第一绝缘材料的表面上，所述表面面向和与所述第一半导体元件的所述电路表面相反的表面相同的方向；所述连接电极形成用于使所述第一半导体元件的所述电路表面和所述第二半导体元件的所述电路表面相互电连接的通路的至少一部分；所述第一半导体元件和所述外部接线端子借助穿过所述绝缘层的除了掩埋所述连接电极的所述绝缘层区域之外的区域的导电构件相互电连接。