[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：第一半导体元件和第二半导体元件，它们各自的电路表面侧彼此相对定位；

所述第一半导体元件的侧面的至少一部分被掩埋在第一绝缘材料中；

所述第二半导体元件的至少所述电路表面由第二绝缘材料覆盖；

连接电极，其被掩埋在布置于所述第一半导体元件的所述电路表面和所述第二半导体元件的所述电路表面之间的绝缘层中；

外部接线端子，其被布置在所述第一绝缘材料的表面上，所述表面面向和与所述第一半导体元件的所述电路表面相反的表面相同的方向；

所述连接电极形成用于使所述第一半导体元件的所述电路表面和所述第二半导体元件的所述电路表面相互电连接的通路的至少一部分；

所述第一半导体元件和所述外部接线端子借助穿过所述绝缘层的除了掩埋所述连接电极的所述绝缘层区域之外的区域的导电构件相互电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电构件穿过所述第一绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层包括所述第一绝缘材料的至少一部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电构件包括沿着所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料的界面布置的布线和掩埋在所述第一绝缘材料中的通路。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述通路填充有金属。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电构件包括掩埋在所述第一绝缘材料中的焊线。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电构件包括安装于所述第一半导体元件的金属凸起、沿着所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料的界面布置的布线、和掩埋在所述第一绝缘材料中的通路。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述通路填充有金属。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层由所述第二绝缘材料的至少一部分形成。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述导电构件包括掩埋在所述第二绝缘材料中的焊线、沿着所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料的界面布置的布线、和掩埋在所述第一绝缘材料中的通路。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述通路填充有金属。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接电极由安装于所述第一半导体元件的金属凸起制成。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，金属板安装于所述第一半导体元件的与其电路表面相反的表面。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述金属板的侧面的至少一部分被掩埋在所述第一绝缘材料中。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述金属板还用作布线层。

16.一种制造权利要求1的半导体器件的方法，包括：

在支撑基板上形成外部接线端子的步骤；

将第一半导体元件面朝上在不同于形成所述外部接线端子的区域的区域中布置在所述支撑基板上的步骤；

将所述第一半导体元件的侧面的至少一部分和所述外部接线端子掩埋在所述第一绝缘材料中的步骤；

将导电构件的至少一部分形成在所述第一绝缘材料中的步骤；

将所述第二半导体元件面朝下借助所述连接电极连接至所述第一半导体元件的步骤；

借助第二绝缘材料覆盖所述第二半导体元件的至少电路表面的步骤；以及

移除所述支撑基板的步骤。

17.根据权利要求16所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述第一绝缘材料中形成所述导电构件的至少一部分的步骤中形成所述连接电极。

18.根据权利要求16所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述支撑基板上形成所述外部接线端子的步骤中，在不同于形成所述外部接线端子的区域的区域中在所述支撑基板上形成金属板。