[发明专利]在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的改进的方法无效
| 申请号: | 200810090216.6 | 申请日: | 2008-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN101335206A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
| 发明(设计)人: | 那须昭宣;陈玄芳;W-J·李;陈易聪 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的方法和装置,其中铜无电极地沉积在基底上以形成铜互连层。使用铜溶液在基底上形成铜互连层,该铜溶液含有:作为铜源的CuSO45H2O,作为络合剂的酒石酸钾钠或柠檬酸三钠,作为还原剂的乙醛酸盐/酯、乙醛酸或磷酸钠,作为稳定剂的硫有机化合物,和pH调节剂。 | ||
| 搜索关键词: | 平板 显示器 制造 工艺 基底 改进 方法 | ||
【主权项】:
1.通过在基底上无电极地沉积铜互连层而在用于制造平板显示器的基底上制造铜层的方法,包括:a)提供基底;b)在至少部分基底上提供催化层;和c)通过使所述被催化的部分暴露于铜溶液,在基底的至少部分被催化的部分上提供铜层,并由此形成镀铜基底,其中所述铜溶液包含:1)作为铜源的CuSO45H2O;2)络合剂,包含酒石酸钾钠4H2O或柠檬酸三钠2H2O;3)还原剂,包含选自由乙醛酸盐/酯、乙醛酸或磷酸钠H2O组成的组中的至少一种;4)稳定剂,包含硫有机化合物;和5)pH调节剂,其在室温将铜溶液的pH值调节为9至12.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院,未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810090216.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有水压检测功能的手机
- 下一篇:玻璃加工装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





