[发明专利]在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的改进的方法无效
| 申请号: | 200810090216.6 | 申请日: | 2008-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN101335206A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
| 发明(设计)人: | 那须昭宣;陈玄芳;W-J·李;陈易聪 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平板 显示器 制造 工艺 基底 改进 方法 | ||
1.通过在基底上无电极地沉积铜互连层而在用于制造平板显示器的 基底上制造铜层的方法,包括:
a)提供基底;
b)在至少部分基底上提供催化层;和
c)通过使所述被催化的部分暴露于铜溶液,在基底的至少部分被催化 的部分上提供铜层,并由此形成镀铜基底,其中所述铜溶液包含:
1)作为铜源的CuSO45H2O;
2)络合剂,包含酒石酸钾钠4H2O或柠檬酸三钠2H2O;
3)还原剂,包含选自由乙醛酸盐/酯、乙醛酸或磷酸钠H2O组成 的组中的至少一种;
4)稳定剂,包含硫有机化合物;和
5)pH调节剂,其在室温将铜溶液的pH值调节为9至12.5。
2.权利要求1的方法,进一步包括在提供铜层之前调节催化层,其中 在大约15℃至大约35℃进行调节,且其中调节进行大约5秒至大约3分钟 的时间。
3.权利要求1的方法,进一步包括将镀铜基底退火,其中退火包括在 包含大约1体积%至大约3体积%的氢(余量为氮)的气氛下加热该基底。
4.权利要求1的方法,进一步包括在铜层上提供抑制氧化的覆盖层, 其中:
a)覆盖层是NiP或NiXP层,其中X是选自由W、Mo和Re组成的 组的难熔金属;且
b)覆盖层的厚度为大约100纳米至大约300纳米。
5.权利要求1的方法,进一步包括在提供催化层之前在基底上提供基 础层,其中基础层包含NiP或NiXP层,且X是选自由W、Mo和Re组 成的组的难熔金属。
6.权利要求5的方法,其中提供催化层包括通过使基础层暴露于 AgNO3在NH4OH溶液中的混合物而在基础层上提供薄催化银层,其中该 混合物包含在大约0.01%至大约1%NH4OH溶液中的大约0.1克/升至大 约10克/升的AgNO3。
7.权利要求5的方法,其中提供催化层包括通过使基础层暴露于 (NH3)4PdCl2在NH4OH溶液中的混合物而在基础层上提供薄催化钯层,其 中该混合物包含在大约0.01%至大约1%NH4OH溶液中的大约0.1克/升 至大约1.0克/升的(NH3)4PdCl2。
8.权利要求1的方法,其中所述镀铜溶液进一步包含大约0.1克/升至 大约10克/升的NiSO46H2O。
9.权利要求2的方法,进一步包括通过使催化层暴露于调节混合物而 调节催化层,所述调节混合物包含在溶液中的大约0.01%至大约5%的乙 醛酸盐/酯或次膦酸盐/酯。
10.权利要求2的方法,进一步包括通过使催化层暴露于调节混合物 而调节催化层,所述调节混合物包含在溶液中的大约0.1克/升至大约5克/ 升的二甲胺硼烷(DMAB)。
11.权利要求1的方法,其中所述铜溶液包含大约2克/升至大约15 克/升的CuSO45H2O。
12.权利要求1的方法,其中所述铜溶液包含大约40克/升至大约100 克/升的酒石酸钾钠4H2O。
13.权利要求12的方法,其中所述铜溶液包含大约65克/升至大约85 克/升的酒石酸钾钠4H2O。
14.权利要求1的方法,其中所述铜溶液包含大约10克/升至大约100 克/升的柠檬酸三钠2H2O。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





