[发明专利]薄膜太阳能电池的膜层和薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 200810089990.5 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101295737A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;杨与胜 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 公开了一种薄膜太阳能电池，在薄膜太阳能电池的透明前电极和p－i－n光电单元的p层之间包括折射率为2.2～3.4的膜层。该膜层作为透明前电极和p层之间的界面层，能够缩小透明前电极和p层之间的折射率差，使入射光在从透明前电极进入到p层时能够最大限度地减少反射，从而降低光损耗，提高薄膜太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1、一种膜层，其特征在于：所述膜层位于薄膜太阳能电池的透明前电极和p层之间，所述膜层的折射率为2.2～3.4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
