[发明专利]薄膜太阳能电池的膜层和薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200810089990.5 申请日: 2008-04-15
公开(公告)号: CN101295737A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 李沅民;杨与胜 申请(专利权)人: 福建钧石能源有限公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/075
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000福建省泉*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池
【权利要求书】:

1、一种膜层,其特征在于:所述膜层位于薄膜太阳能电池的透明前电极和p层之间,所述膜层的折射率为2.2~3.4。

2、如权利要求1所述的膜层,其特征在于:所述膜层的材料包括氧化锡、氧化钛、氧化锌或铟锡氧化物ITO。

3、如权利要求2所述的膜层,其特征在于:所述膜层的厚度为10纳米~200纳米。

4、一种膜层,其特征在于:所述膜层位于薄膜太阳能电池的透明前电极和p层之间,所述膜层包括至少一第一过渡层和至少一第二过渡层,所述第一过渡层的折射率为2.2~2.8,所述第二过渡层的折射率为2.8~3.4,入射光经透明前电极、第一过渡层、第二过渡层至p层。

5、如权利要求4所述的膜层,其特征在于:所述第一过渡层的材料包括氧化锡、氧化钛、氧化锌或铟锡氧化物ITO;所述第二过渡层的材料包括氧化锡、氧化钛、氧化锌或铟锡氧化物。

6、如权利要求5所述的膜层,其特征在于:所述第一过渡层和第二过渡层的厚度为10纳米~200纳米。

7、一种薄膜太阳能电池,包括基板、透明前电极、p-i-n光电单元、背电极,其特征在于:所述透明前电极和p-i-n光电单元的p层之间还包括膜层,所述膜层的折射率为2.2~3.4。

8、如权利要求7所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述膜层包括至少一第一过渡层和至少一第二过渡层,所述第一过渡层的折射率为2.2~2.8,所述第二过渡层的折射率为2.8~3.4,入射光经透明前电极、第一过渡层、第二过渡层至p层。

9、如权利要求7所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述膜层的材料包括氧化锡、氧化钛、氧化锌或铟锡氧化物ITO。

10、如权利要求9所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述膜层的厚度为10纳米~200纳米。

11、如权利要求8所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述第一过渡层的材料包括氧化锡、氧化钛、氧化锌或铟锡氧化物;所述第二过渡层的材料包括氧化锡、氧化钛、氧化锌或铟锡氧化物ITO。

12、如权利要求11所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述第一过渡层和第二过渡层的厚度为10纳米~200纳米。

13、如权利要求7所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:在所述p-i-n光电单元和所述背电极之间还至少包括一个p-i-n光电单元。

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