[发明专利]包括半导体的光电转换元件以及使用其的半导体装置有效
申请号: | 200810088343.2 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101290940A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 楠本直人;西和夫;菅原裕辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/485 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的为如下:在将光电转换元件安装在布线衬底等时,提高其固定强度,来解决接触不良及剥离等的问题。本发明涉及一种半导体装置,其中,在第一衬底上包括:光电转换层;包括至少两个薄膜晶体管的放大电路,该放大电路放大光电转换层的输出电流;以及供应高电位电源的第一电极及供应低电位电源的第二电极,该第一电极和第二电极电连接到所述光电转换层及所述放大电路,并且,在所述第一衬底的最上层包括:与导电材料形成合金的固定层,并且,在第二衬底上包括:第三电极和第四电极;以及固定所述第一电极和所述第三电极并固定所述第二电极和所述第四电极的所述导电材料。 | ||
搜索关键词: | 包括 半导体 光电 转换 元件 以及 使用 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:形成在衬底上的光电转换层;包括至少两个薄膜晶体管的放大电路,所述放大电路形成在所述衬底上并放大所述光电转换层的输出电流;形成在所述光电转换层和所述放大电路上的第一层间绝缘膜;形成在所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜上的第一电极,所述第一电极电连接到所述光电转换层;形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜,所述第二层间绝缘膜重叠于所述放大电路并具有到达所述第一电极的开口;形成在所述开口中的第二电极,所述第二电极电连接到所述第一电极;以及形成在所述第二电极上的固定层,所述固定层重叠于所述第二层间绝缘膜和所述第二电极,其中,所述固定层包含能够与焊料形成合金的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的