[发明专利]包括半导体的光电转换元件以及使用其的半导体装置有效
申请号: | 200810088343.2 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101290940A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 楠本直人;西和夫;菅原裕辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/485 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 半导体 光电 转换 元件 以及 使用 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
形成在衬底上的光电转换层;
包括至少两个薄膜晶体管的放大电路,所述放大电路形成在所述衬底上并放大所述光电转换层的输出电流;
形成在所述光电转换层和所述放大电路上的第一层间绝缘膜;
形成在所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜上的第一电极,所述第一电极电连接到所述光电转换层;
形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜,所述第二层间绝缘膜重叠于所述放大电路并具有到达所述第一电极的开口;
形成在所述开口中的第二电极,所述第二电极电连接到所述第一电极;以及
形成在所述第二电极上的固定层,所述固定层重叠于所述第二层间绝缘膜和所述第二电极,
其中,所述固定层包含能够与焊料形成合金的金属。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述固定层包含选自镍、铜、锌、钯、银、锡、铂、以及金中的元素。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述放大电路是电流镜电路。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜之间的保护膜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述光电转换层包括p型半导体层、i型半导体层、以及n型半导体层。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述第二电极包含镍。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述固定层是由金层、镍层、以及钛层形成的叠层。
8.一种半导体装置,包括:
形成在第一衬底上的光电转换层;
包括至少两个薄膜晶体管的放大电路,所述放大电路形成在所述第一衬底上并放大所述光电转换层的输出电流;
形成在所述光电转换层和所述放大电路上的第一层间绝缘膜;
形成在所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜上的第一电极,所述第一电极电连接到所述光电转换层;
形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜,所述第二层间绝缘膜重叠于所述放大电路并具有到达所述第一电极的开口;
形成在所述开口中的第二电极,所述第二电极电连接到所述第一电极;
形成在所述第二电极上的固定层,所述固定层重叠于所述第二层间绝缘膜和所述第二电极;
形成在所述固定层上的导电材料,所述导电材料电连接到所述固定层;
形成在所述导电材料上的第三电极,所述第三电极电连接到所述导电材料;以及
形成在所述第三电极上的第二衬底,
其中,所述固定层包含能够与焊料形成合金的金属。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述固定层包含选自镍、铜、锌、钯、银、锡、铂、以及金中的元素。
10.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述放大电路是电流镜电路。
11.根据权利要求8所述的半导体装置,还包括所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜之间的保护膜。
12.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述光电转换层包括p型半导体层、i型半导体层、以及n型半导体层。
13.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述第二电极包含镍。
14.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述固定层是由金层、镍层、以及钛层形成的叠层。
15.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述导电材料包含焊料。
16.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述第二衬底是印刷电路板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的