[发明专利]包括半导体的光电转换元件以及使用其的半导体装置有效

专利信息
申请号: 200810088343.2 申请日: 2008-03-26
公开(公告)号: CN101290940A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 楠本直人;西和夫;菅原裕辅 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L23/485
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 包括 半导体 光电 转换 元件 以及 使用 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

形成在衬底上的光电转换层;

包括至少两个薄膜晶体管的放大电路,所述放大电路形成在所述衬底上并放大所述光电转换层的输出电流;

形成在所述光电转换层和所述放大电路上的第一层间绝缘膜;

形成在所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜上的第一电极,所述第一电极电连接到所述光电转换层;

形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜,所述第二层间绝缘膜重叠于所述放大电路并具有到达所述第一电极的开口;

形成在所述开口中的第二电极,所述第二电极电连接到所述第一电极;以及

形成在所述第二电极上的固定层,所述固定层重叠于所述第二层间绝缘膜和所述第二电极,

其中,所述固定层包含能够与焊料形成合金的金属。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中所述固定层包含选自镍、铜、锌、钯、银、锡、铂、以及金中的元素。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中所述放大电路是电流镜电路。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜之间的保护膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中所述光电转换层包括p型半导体层、i型半导体层、以及n型半导体层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中所述第二电极包含镍。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中所述固定层是由金层、镍层、以及钛层形成的叠层。

8.一种半导体装置,包括:

形成在第一衬底上的光电转换层;

包括至少两个薄膜晶体管的放大电路,所述放大电路形成在所述第一衬底上并放大所述光电转换层的输出电流;

形成在所述光电转换层和所述放大电路上的第一层间绝缘膜;

形成在所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜上的第一电极,所述第一电极电连接到所述光电转换层;

形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜,所述第二层间绝缘膜重叠于所述放大电路并具有到达所述第一电极的开口;

形成在所述开口中的第二电极,所述第二电极电连接到所述第一电极;

形成在所述第二电极上的固定层,所述固定层重叠于所述第二层间绝缘膜和所述第二电极;

形成在所述固定层上的导电材料,所述导电材料电连接到所述固定层;

形成在所述导电材料上的第三电极,所述第三电极电连接到所述导电材料;以及

形成在所述第三电极上的第二衬底,

其中,所述固定层包含能够与焊料形成合金的金属。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述固定层包含选自镍、铜、锌、钯、银、锡、铂、以及金中的元素。

10.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述放大电路是电流镜电路。

11.根据权利要求8所述的半导体装置,还包括所述光电转换层和所述第一层间绝缘膜之间的保护膜。

12.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述光电转换层包括p型半导体层、i型半导体层、以及n型半导体层。

13.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述第二电极包含镍。

14.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述固定层是由金层、镍层、以及钛层形成的叠层。

15.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述导电材料包含焊料。

16.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述第二衬底是印刷电路板。

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