[发明专利]半导体器件及其微调方法无效
| 申请号： | 200810088175.7 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101252128A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 上村启介 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/525;H01L23/544;H01L21/00;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其微调方法。所提供的是一种半导体器件，包括具有熔丝的分割电阻器，以及通过从具有熔丝的分割电阻器除去熔丝而得到的用于测量相对精确度的分割电阻器。测量用于测量相对精确度的分割电阻器的特征值以便获得微调数据，以及随后微调具有熔丝的分割电阻器，从而获得具有高精确特性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 微调 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括电阻器电路，该电阻器电路包括：具有熔丝的第一分割电阻器；以及用于测量相对精确度的第二分割电阻器，其被设计为与第一分割电阻器具有相同的电阻并且没有熔丝，其中：基于测量的第二分割电阻器的特征值，计算出该熔丝的微调数据；以及基于微调数据，微调第一分割电阻器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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