[发明专利]半导体器件及其微调方法无效
| 申请号： | 200810088175.7 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101252128A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 上村启介 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/525;H01L23/544;H01L21/00;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 微调 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括
电阻器电路，该电阻器电路包括：
具有熔丝的第一分割电阻器；以及
用于测量相对精确度的第二分割电阻器，其被设计为与第一分割电阻器具有相同的电阻并且没有熔丝，其中：
基于测量的第二分割电阻器的特征值，计算出该熔丝的微调数据；以及
基于微调数据，微调第一分割电阻器。
2.根据权利要求1的半导体器件，其中具有熔丝的第一分割电阻器以及用于测量相对精确度的第二分割电阻器被布置为彼此邻近。
3.根据权利要求1或2的半导体器件，其中：
具有熔丝的第一分割电阻器被布置在半导体器件的元件区域内；以及
用于测量相对精确度的第二分割电阻器被布置在该元件区域外的区域中。
4.根据权利要求3的半导体器件，其中布置用于测量相对精确度的第二分割电阻器的区域在划线区域中。
5.根据权利要求3的半导体器件，其中布置用于测量相对精确度的第二分割电阻器的区域在另一个相邻的半导体器件中。
6.根据权利要求3的半导体器件，其中布置用于测量相对精确度的第二分割电阻器的区域在半导体器件外形成的测试元件组中。
7.一种用于半导体器件的电阻器电路的微调方法，该电阻器电路包括：具有熔丝的第一分割电阻器；以及用于测量相对精确度的没有熔丝的第二分割电阻器，该微调方法包括以下步骤：
测量用于测量相对精确度的第二分割电阻器的特征值；
获得相对精确度；
基于该相对精确度计算熔丝的微调数据；以及
基于该微调数据，微调具有熔丝的第一分割电阻器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子有限公司，未经精工电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810088175.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
