[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200810087412.8 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101276742A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 基村雅洋;高桥弘明;前川直嗣;林豊秀 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种基板处理装置,其有:有存积处理液的内槽和回收溢出的处理液的外槽的处理槽;供给配管,连通内外槽使处理液循环;第一分支配管,分流供给配管;分离装置,设于第一分支配管,分离处理液中的纯水和溶剂,排出纯水;第二分支配管,连通分离装置的上下游;纯水去除装置,设于第二分支配管,吸附去除纯水;注入管,设于供给配管,在分离装置下游注入纯水;溶剂注入装置,将溶剂注到注入管中;控制装置,在从注入管供纯水并用清洗基板的纯水清洗处理后,执行注入溶剂并置换纯水的置换处理后,切换至第一分支配管,通过分离装置执行去除纯水的分离去除处理,再切换至第二分支配管,通过纯水去除装置执行吸附并去除纯水的吸附去除处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其利用处理液对基板进行处理,其特征在于,包含有以下构件:处理槽,其具有存积处理液的内槽、和回收从内槽溢出的处理液的外槽;供给配管,其将上述内槽和上述外槽连通连接,并使处理液循环;第一分支配管,其将上述供给配管分流;分离装置,其配设于上述第一分支配管,将处理液中的纯水和溶剂分离,并排出纯水;第二分支配管,其将上述分离装置的上游侧和下游侧连通连接;纯水去除装置,其配设于上述第二分支配管,用于吸附去除处理液中的纯水;注入管,其配设于上述供给配管,在上述分离装置的下游侧注入纯水;溶剂注入装置,其将溶剂注入到上述注入管中;控制装置,其在从上述注入管提供纯水并用纯水清洗处理槽内的基板的纯水清洗处理之后,执行从上述溶剂注入装置注入溶剂并用溶剂来置换纯水的置换处理,之后,切换至上述第一分支配管,通过上述分离装置执行从处理液中去除纯水的分离去除处理,再切换至上述第二分支配管,通过上述纯水去除装置执行吸附并去除处理液中的纯水的吸附去除处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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