[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 200810087412.8 | 申请日: | 2008-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN101276742A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
| 发明(设计)人: | 基村雅洋;高桥弘明;前川直嗣;林豊秀 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种通过处理液对半导体晶片或液晶显示用的玻璃基板(以下称为基板)进行处理的基板处理装置。
背景技术
以往,作为这种装置,例如具有存积处理液并容置基板的处理槽,和向处理槽的上部空间提供异丙醇(IPA:Isopropyl Alcohol)气体的喷嘴(例如日本特开平10-22257号公报)。在该装置中,向处理槽提供纯水并清洗基板后,向处理槽的上部空间提供IPA气体而形成IPA气体环境。接着,通过将基板捞起并移动至处理槽上部的IPA气体中,使基板上附着的纯水被IPA置换,从而促进其干燥。
但是,在以往具有这样结构的实例中,存在下述这样的问题。
即,一方面,以往的装置,通过从纯水中捞起用纯水清洗过的基板,并移动至IPA气体环境中,能够在某种程度上促进基板的干燥,但是另一方面,不能充分的干燥在形成于基板的细小图案间所附着的纯水,有可能产生基板的干燥不良。
然而,在最近的半导体设备中,作为比以往大幅提高了集成度的技术,存储器领域开始采用电容器结构为圆柱体形状的电容器。这样的圆柱体结构的电容器纵横比极大,很难使进入其缝隙间的纯水充分干燥,因而上述问题变得更加突出。此外,即使是所谓的微机电系统(MEMS:Micro ElectroMechanical Systems)相关的设备,也可能产生同样的问题。
因此,考虑过不使用纯水作为捞起基板前最后的处理液,而在用溶剂置换纯水后捞起基板的方法。不过,在该情况下,虽然用溶剂充分置换纯水很重要,但是即使向纯水中提供大量的溶剂,也不能使溶剂中纯水的浓度降到一定值以下,不能用溶剂充分置换纯水。因此,还是有可能因纯水而产生干燥不良这一问题。
此外,在如上所述用溶剂置换纯水后,在捞起基板时,即使向纯水中提供大量的溶剂,进入基板的细微结构中的纯水缓慢地溶入处理液中,也会产生处理液中的纯水浓度逐渐增加的现象。因此,还是会因纯水而产生干燥不良,同时有可能在捞起基板时因纯水的表面张力而发生细微结构的倒塌。
此外,以往作为这种装置,具有多个处理槽和跨各处理槽搬运基板的搬运机构,存在有在各处理槽中用不同的处理液顺序进行处理的装置(例如,日本特开平10-22257号公报)。这样的装置中顺序移动基板,同时进行一系列的处理,例如,在第一处理槽中用缓冲氢氟酸(BHF:Buffered HydrofluoricAcid)轻轻刻蚀表面,在第二处理槽中用纯水清洗,在第三处理槽中将纯水置换为IPA,在第四处理槽中形成溶剂蒸气的气体环境使基板干燥。
但是,在具有这样结构的以往的实例的情况下,存在下述这样的问题。
即,以往的装置,在基板上形成有细微图案的情况下,在处理槽之间移动基板时,因为该细微图案间残留的纯水的表面张力,而存在使形成于基板上的细微图案发生倒塌这一问题。
发明内容
鉴于上述情况,本发明的目的在于,提供一种基板处理装置,能够通过极力地降低溶剂中的纯水浓度,来防止因纯水而引起的干燥不良。
此外,鉴于上述情况,本发明的目的在于,提供一种基板处理装置,能够通过极力地除去用溶剂置换过的处理液中的纯水,来防止干燥不良和细微结构的倒塌。
此外,鉴于上述情况,本发明的目的在于,提供一种基板处理装置,能够通过提高纯水的去除率,来防止形成于基板的细微图案的倒塌。
本发明提供一种基板处理装置,其利用处理液处理基板,其特征在于,具有以下构件:处理槽,其具有存积处理液的内槽和、回收从内槽溢出的处理液的外槽;供给配管,其连通上述内槽和上述外槽,使处理液循环;第一分支配管,其分流上述供给配管;分离装置,其配设于第一分支配管,分离处理液中的纯水和溶剂,并排出纯水;第二分支配管,其连通上述分离装置的上游和下游;纯水去除装置,其配设于上述第二分支配管,吸附去除处理液中的纯水;注入管,其配设于上述供给配管,在上述分离装置的下游处注入纯水;溶剂注入装置,其将溶剂注入到上述注入管中;控制装置,其在执行从上述注入管提供纯水并用纯水清洗处理槽内的基板的纯水清洗处理后,执行从上述溶剂注入装置注入溶剂并用溶剂来置换纯水的置换处理,之后,切换至上述第一分支配管,通过上述分离装置执行从处理液中去除纯水的分离去除处理,再切换至上述第二分支配管,通过上述纯水去除装置执行吸附并去除处理液中的纯水的吸附去除处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本网目版制造株式会社,未经大日本网目版制造株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810087412.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





