[发明专利]半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 200810085240.0 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101262013A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 松仓英树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供为了增加在各种蚀刻工序中的蚀刻余地的半导体装置的元件结构以及具有该元件结构的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置包括配置在具有开口部的绝缘物(100)上的岛状半导体层(200)，所述岛状半导体层(200)具有埋入半导体层(区域(211)、区域(212))和薄膜半导体层(区域(213))。再者，所述埋入半导体层的膜厚度厚于所述薄膜半导体层的膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：具有至少两个开口部的绝缘物，该开口部分别在第一区域；形成在所述绝缘物上的岛状半导体层；形成在所述岛状半导体层上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极；形成在所述栅电极上的层间绝缘膜；以及贯穿所述层间绝缘膜的至少两个接触孔，其中，所述岛状半导体层具有薄膜半导体层和至少两个埋入半导体层，并且，所述埋入半导体层分别埋入在所述开口部中的一个，并且，所述薄膜半导体层配置在第二区域，该第二区域在所述第一区域之间，并且，所述埋入半导体层的膜厚度厚于所述薄膜半导体层的膜厚度，并且，所述接触孔形成在所述第一区域。
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