[发明专利]半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有至少两个开口部的绝缘物，该开口部分别在第一区域；

形成在所述绝缘物上的岛状半导体层；

形成在所述岛状半导体层上的栅极绝缘膜；

形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极；

形成在所述栅电极上的层间绝缘膜；以及

贯穿所述层间绝缘膜的至少两个接触孔，

其中，所述岛状半导体层具有薄膜半导体层和至少两个埋入半导体层，

并且，所述埋入半导体层分别埋入在所述开口部中的一个，

并且，所述薄膜半导体层配置在第二区域，该第二区域在所述第一区域之间，

并且，所述埋入半导体层的膜厚度厚于所述薄膜半导体层的膜厚度，

并且，所述接触孔形成在所述第一区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括具有第一端部和第二端部的侧壁，其中所述第一端部与所述栅电极的侧面接触，并且所述第二端部与所述埋入半导体层中的一个重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极与所述薄膜半导体层和所述埋入半导体层重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接触孔的每一个到达所述埋入半导体层中的一个的内部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接触孔的每一个贯穿所述埋入半导体层中的一个。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第一区域中的一个和所述第二区域的边界中，所述岛状半导体层的表面具有连续形状。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第一区域中的一个和所述第二区域的边界中，所述岛状半导体层具有平坦的表面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述薄膜半导体层的膜厚度为5nm至30nm，并且所述埋入半导体层的膜厚度为25nm至330nm，而厚于所述薄膜半导体层的膜厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一区域的底部被所述绝缘物覆盖。

10.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在绝缘物上形成至少两个开口部，该开口部分别在第一区域；

形成埋入在所述开口部中的第一半导体层；

在所述第一半导体层和第二区域的所述绝缘物上形成岛状第二半导体层，该第二区域在所述第一区域之间；

在所述岛状第二半导体层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；

通过利用所述栅电极作为掩模，在所述岛状第二半导体层中形成第一杂质区；

在所述栅电极上形成层间绝缘膜；以及

选择性地蚀刻所述层间绝缘膜以形成接触孔，该接触孔到达在所述第一区域中的所述岛状第二半导体层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，在形成所述第一杂质区之后且在形成所述层间绝缘膜之前还包括如下步骤：

形成与所述栅电极的侧面接触的侧壁层；

通过利用所述栅电极和所述侧壁层作为掩模在所述岛状第二半导体层中形成第二杂质区。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中所述侧壁层具有与所述栅电极接触的第一端部和在与所述第一端部相反一侧的第二端部，并且所述第二端部形成在所述第一区域中的一个。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第二区域中形成所述栅电极的端部。