[发明专利]具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200810084631.0 申请日: 2008-03-14
公开(公告)号: CN101533866A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 杨燕智;简永杰 申请(专利权)人: 东捷科技股份有限公司
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人: 钱 凯
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池,其包括一基板、一第一穿透电膜、一具有a-SiN的第一光电转换层、一具有a-Si的第二光电转换层、一具有a-SiSn的第三光电转换层、一第二穿透电膜及一上电极;此第一光电转换层可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间;此第二光电转换层可调变的能带宽是为1.7ev左右,而此第三光电转换层可调变的能带宽是介于0.08ev至1.1ev之间;借此,本发明兼具吸收范围大、转换效率高与制造成本较低等优点及功效。
搜索关键词: 具有 非晶硅多 结构 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
1. 一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池,其特征在于,包括:一基板,可透光;一第一穿透电膜,是设于该基板上且可透光;一第一光电转换层,是由一第一P层、一第一I层及一第一N层堆叠而成,其中,该第一I层是由a-SiN构成,而该第一光电转换层是设于该第一穿透电膜上,且可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间;一第二光电转换层,是由一第二P层、一第二I层及一第二N层堆叠而成,其中,该第二I层是由a-Si所构成,而该第二光电转换层是设于该第一光电转换层上,且可调变的能带宽为1.7ev左右;一第三光电转换层,是由一第三P层、一第三I层及一第三N层堆叠而成,其中,该第三I层是由a-SiSn构成,而该第三光电转换层是设于该第二光电转换层上,且可调变的能带宽介于0.08ev至1.1ev之间,又,该第一光电转换层的能隙是大于该第二光电转换层的能隙,且该第二光电转换层的能隙是大于该第三光电转换层的能隙;一第二穿透电膜,是设于该第三光电转换层的上方且可透光;一上电极,是设于该第二穿透电膜上。
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