[发明专利]具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池

权利要求书

1.一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池，其特征在于，包括：

一基板，可透光；

一第一穿透电膜，是设于该基板上且可透光；

一第一光电转换层，是由一第一P层、一第一I层及一第一N层堆叠而成，其中，该第一I层是由a-SiN构成，而该第一光电转换层是设于该第一穿透电膜上，且可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间；

一第二光电转换层，是由一第二P层、一第二I层及一第二N层堆叠而成，其中，该第二I层是由a-Si所构成，而该第二光电转换层是设于该第一光电转换层上，且可调变的能带宽为1.7ev左右；

一第三光电转换层，是由一第三P层、一第三I层及一第三N层堆叠而成，其中，该第三I层是由a-SiSn构成，而该第三光电转换层是设于该第二光电转换层上，且可调变的能带宽介于0.08ev至1.1ev之间，又，该第一光电转换层的能隙是大于该第二光电转换层的能隙，且该第二光电转换层的能隙是大于该第三光电转换层的能隙；

一第二穿透电膜，是设于该第三光电转换层的上方且可透光；

一上电极，是设于该第二穿透电膜上。

2.根据权利要求1所述的具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池，其特征在于：所述第一、第二及第三光电转换层又可分别设有一第一缓冲层、一第二缓冲层及一第三缓冲层，又，所述第一光电转换层的能隙大于所述第二光电转换层的能隙，该第二光电转换层的能隙大于所述第三光电转换层的能隙。

3.根据权利要求1所述的具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池，其特征在于：

所述第一光电转换层是以制程气体SiH4/NH3比例调变能带宽；

所述第二光电转换层是以制程气体SiH4/H2比例调变能带宽；

所述第三光电转换层是以溅镀或蒸镀方式调变能带宽。