[发明专利]导线架及其制作方法有效
| 申请号： | 200810084471.X | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101546711A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 朱新昌 | 申请（专利权）人： | 一诠精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种导线架及其制作方法，可于一次制作流程中利用冲压挤料方式，于一每一断面面积相同的料带上成型有数区域，每一区域通过冲压挤料方式，形成有厚薄不一的区块，藉以通过该厚薄不一的区块形成导线架的散热基座及接电部，再于各区域中成型有包覆散热基座及该接电部的绝缘壳体，进而于该料带的每一区域上形成有导线架。藉以简化制作流程，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 导线 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种导线架制作方法，其特征在于，包含下列步骤：(a)第一次冲压，于一料带上冲压成型有二组相对应的贯穿槽；(b)第二次冲压，于每一组贯穿槽之间冲压成型有一薄材部，并使二薄材部之间形成有一厚材部，其中二薄材部的厚度小于该厚材部的厚度；以及(c)第三次冲压，使二薄材部冲压形成两接线部，而厚材部冲压形成一基座，且两接线部及该基座间形成有一间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
