[发明专利]导线架及其制作方法有效
| 申请号: | 200810084471.X | 申请日: | 2008-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN101546711A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 朱新昌 | 申请(专利权)人: | 一诠精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人: | 孙 刚 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导线 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明关于一种导线架及其制作方法,且特别是有关于一种先制作厚薄料带继而制成导线架的方法。
背景技术
由于目前对高亮度照明的需求越来越高,一般作法系封装多个发光晶片于导线架上,并且由于发光晶片的体积小以及彼此间距小的缘故,产生的热量密度很高。为了解决导线架的散热问题,最直接的作法系将导线架接合一散热基座,或是将散热基座与支架一起埋入射出,进而将发光晶片置于散热基座上以增进散热效率。
然而,此一作法需额外开模制作散热基座,还需进行散热基座与导线架的接合加工,导线架的设计也需配合散热基座,因此增加了生产流程的复杂度以及制造成本。故目前作法系利用一厚薄料带,较厚部份可制作基座,较薄部份可制作支架,因此冲压该厚薄料带以制作导线架的支架的同时,可一并冲压出散热基座,进而不需进行导线架与散热基座的接合加工,如中国台湾专利I246209号、中国台湾专利523941号以及中国台湾专利200735417号所述。
如中国台湾专利I246209号所述,首先需制作出如图1所示的具有凸条10的料带1,接着进行冲切以形成导线架的基座与支架,基座位于凸条10,支架位于料带1上较薄的位置。此外,如中国台湾专利523941号所述,可对图2A所示的厚铜板2进行切削加工以制成厚薄料带,或是对图2B所示的薄铜板3与厚铜板4进行接合加工以制成厚薄料带,进而可加工制成导线架与散热基座。再者,如中国台湾专利200735417号所述,对图3所示的异形材5进行冲压加工,厚度较薄部50可形成内接线部及晶片焊垫部,厚度较厚部52可形成接电部。
上述三个专利所述的制造方法皆有一缺点,系需对整个料带先行加工处理或是需要购买特定形状的料带(亦即,异形材),才能进行后续流程。另外,如图1所示的料带1的凸条10系一长条状,所以整个料带只能具有一种厚薄比例,因此也无法随意的控制厚薄程度。图2A所示的厚铜板2需另一种加工设备-铣床,以进行切削程序,图2B所示的薄铜板3与厚铜板4的接合也需焊接程序或是压合程序,也是非冲床设备所能提供的功能,制造上较为耗时也耗工。图3所示的异形材5,虽然不需进行制成厚薄料带的加工,但需花费额外的购买成本,并且也同样具有与图一所示的料带1的缺点,亦即,同一料带中无法随意地控制厚薄比例。
爰是,如何提供另一种制作厚薄料带继而制成导线架的方法,并且制作流程相较先前技术来得省时省工,即为本发明中所欲解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种导线架制作方法,能于一次制作流程中制作厚薄料带继而制成导线架。
为了达成上述目的,制作导线架的方法包含下列步骤。首先,执行第一次冲压,于一料带上冲压成型有两组相对应的贯穿槽;接着,执行第二次冲压,于每一组贯穿槽之间冲压成型有一薄材部,并使两薄材部之间形成有一厚材部,其中两薄材部的厚度小于该厚材部的厚度;接着,执行第三次冲压,使两薄材部冲压形成两接线部,而厚材部冲压形成一基座,且两接线部及该基座间形成有一间隔。
藉以透过冲压方式将料带区域性地挤压以形成厚薄材料,进而可对厚薄材料冲切出导线架。
本发明的另一目的在于,提供一种导线架,具有数个导线架区块,每一导线架区块具有厚度落差的支架,让支架不需折弯加工就可与电路板直接接触。
为了达成上述目的,导线架主要系一料带上成型有数导线架区块,每一导线架区块间形成有连接部,各导线架区块包含两支架、基座以及绝缘壳体。每一支架包含接线部与接电部,该接电部的厚度略大于接线部,且该接电部与该料带的连接部连结;基座介于两支架的接线部间,且该基座与各支架的接线部间具有一间隔,并与该各支架的接电部间形成有一凹陷空间;绝缘壳体包覆两支架及基座,并与该基座形成有供发光晶片承载的固晶区域,且该支架的接线部凸露于该固晶区域中,该接电部凸露于该绝缘壳体的外侧,同时该绝缘壳体填入该间隔及该凹陷空间内。
藉此,由于支架的接电部的厚度大于接线部的厚度,且凸露于绝缘壳体的外侧,因此导线架设置于电路板上时,支架的接电部无需弯折而可直接与电路板相接触,并且较薄的接线部与填入凹陷空间的绝缘壳体可避免与接线部与基座相接触而产生短路的可能性,此凹陷空间亦有助于绝缘壳体抓持基座的功用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





