[发明专利]膜芯片复合体、膜芯片复合体的制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 200810084273.3 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276076A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李奎洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/1362;H01L21/60;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种膜芯片复合体、膜芯片复合体的制造方法及显示装置。该膜芯片复合体包括：膜，包括沿一侧的连接区域；芯片，安装在该膜上；栅极信号线，布置于该膜上，其中该栅极信号线包括：栅极引线，布置于该连接区域内；以及栅极主线，将该芯片与该栅极引线连接；以及信号线，布置于该膜上，其中该信号线包括：信号引线，布置于该连接区域内；信号主线，基本上朝该连接区域的外部延伸；以及信号焊盘，与该信号主线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 复合体 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种膜芯片复合体，包括：膜，包括沿一侧的连接区域；芯片，安装在所述膜上；栅极信号线，布置于所述膜上，其中所述栅极信号线包括：栅极引线，布置于所述连接区域内；以及栅极主线，将所述芯片与所述栅极引线连接；以及信号线，布置于所述膜上，其中所述信号线包括：信号引线，布置于所述连接区域内；信号主线，基本上朝所述连接区域的外部延伸；以及信号焊盘，与所述信号主线连接。
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