[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 200810084038.6 | 申请日： | 2008-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101308834A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈承先;郭正铮;卿恺明;陈志华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路结构，包括衬底、位于衬底之中的从一端逐渐变窄的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介电层、以及由介电层的上表面向穿透硅通道延伸的金属柱，其中金属柱包含与穿透硅通道的填充材料相同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路结构，包括：衬底；穿透硅通道，位于该衬底之内，其中该穿透硅通道从一端逐渐变窄；硬掩膜，由该衬底的上表面延伸进入该衬底，其中该硬掩膜环绕该穿透硅通道的上方部分；多个介电层，位于该衬底上方；以及金属柱，由该介电层的上表面延伸至该穿透硅通道，其中该金属柱包括与该穿透硅通道的填充材料相同的材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810084038.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有高安全性的二次电池
- 下一篇：图像处理设备、图像处理方法和图像检索方法
