[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

衬底；

穿透硅通道，形成于一穿透硅通道开口中并位于该衬底之内，其中该穿 透硅通道从该衬底的一上表面延伸至该衬底的一下表面，该上表面和该下表 面是该衬底的相对两表面；

硬掩膜，由该衬底该上表面延伸进入该衬底，其中该硬掩膜环绕该穿透 硅通道的上方部分；

多个介电层，位于该衬底上方；

金属柱，形成于一开口中并由该介电层的上表面延伸至该穿透硅通道， 其中该金属柱包括与该穿透硅通道的填充材料相同的材料；以及

扩散阻挡层，覆盖于该开口和该穿透硅通道开口的侧壁以及该穿透硅通 道开口的底部，并与该开口和该穿透硅通道开口共形。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包括环形的蚀 刻终止层，位于该介电层与该硬掩膜之间，其中该蚀刻终止层仅环绕该金属 柱的下方部分。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，该蚀刻终止层是 多晶硅层，且该衬底是硅衬底。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该硬掩膜的厚度 小于该穿透硅通道的高度。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该硬掩膜的厚度 小于1μm。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该穿透硅通道的 侧壁具有小于90°的倾斜角度。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包括一浅沟槽 绝缘区，用来绝缘多个有源器件，其中该硬掩膜与该浅沟槽绝缘区具有相同 的厚度，并且由相同材料所构成。

8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该金属柱的侧壁 从一端逐渐变窄，且该金属柱上方部分的宽度大于该金属柱下方部分的宽度。

9.一种集成电路结构，包括：

衬底；

浅沟槽绝缘区，由该衬底的上表面向该衬底内部延伸，且该浅沟槽绝缘 区形成一环；

多晶硅环，位于该浅沟槽绝缘区上；

多个低介电系数介电层，位于该衬底与该多晶硅环之上；

导电结构，由该低介电系数介电层的上表面延伸进入该衬底，其中该导 电结构包括位于该低介电系数介电层之中的金属柱，以及贯穿该多晶硅环和 该浅沟槽绝缘区所形成的环的穿透硅通道，该金属柱形成于一开口中并由该 低介电系数介电层的上表面延伸至该穿透硅通道，该穿透硅通道形成于一穿 透硅通道开口中并位于该衬底之内，其中该穿透硅通道从该衬底的一上表面 延伸至该衬底的一下表面，该上表面和该下表面是该衬底的相对两表面；以 及

扩散阻挡层，覆盖于该开口和该穿透硅通道开口的侧壁以及该穿透硅通 道开口的底部，并与该开口和该穿透硅通道开口共形。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于，该穿透硅通道 的外形从一端逐渐变窄，且该穿透硅通道的上方部分的宽度大于该穿透硅通 道的下方部分的宽度。

11.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于，该导电结构的 该穿透硅通道具有一高度，该高度大于该浅沟槽绝缘区的厚度。

12.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于，该浅沟槽绝缘 区的厚度小于1μm，且该多晶硅环的厚度小于1μm。

13.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于，该多晶硅环的 内侧侧壁与该浅沟槽绝缘区的内侧侧壁连续相连。

14.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于，该多晶硅环和 该浅沟槽绝缘区均是圆环。