[发明专利]发光二极管有效

专利信息
申请号: 200810084015.5 申请日: 2008-03-18
公开(公告)号: CN101271915A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 尹丽镇;金锺奎;李俊熙 申请(专利权)人: 首尔OPTO仪器股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L25/065
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 韩国京畿道安山市檀*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明的AC LED包括:衬底;以及至少一个串联阵列,其具有串联连接在衬底上的多个发光单元。发光单元的每一者包括:下半导体层,其由形成于衬底的顶部上的第一导电化合物半导体层组成;上半导体层,其由形成于下半导体层顶部上的第二导电化合物半导体层组成;活性层,其介于下半导体层与上半导体层之间;下电极,其形成于下半导体层上且在衬底的第一角落处暴露;上电极层,其形成于上半导体层上;以及上电极极板,其形成于上电极层上且在衬底的第二角落处暴露。上电极极板和下电极分别安置在对角线上彼此相对的角落处,且相应的发光单元经布置以使得发光单元的一者的上电极极板和下电极相对于发光单元的相邻的另一者的上电极极板和下电极而对称。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
1.一种AC发光装置(LED),其包括:衬底;以及至少一个串联阵列,其具有串联连接在所述衬底上的多个发光单元,其中所述发光单元的每一者包括:下半导体层,其由形成于所述衬底的顶部上的第一导电化合物半导体层组成;上半导体层,其由形成于所述下半导体层顶部上的第二导电化合物半导体层组成;活性层,其介于所述下半导体层与上半导体层之间;下电极,其形成于所述下半导体层上且在所述衬底的第一角落处暴露;上电极层,其形成于所述上半导体层上;以及上电极极板,其形成于所述上电极层上且在所述衬底的第二角落处暴露,其中所述上电极极板和所述下电极分别安置在对角线上彼此相对的角落处,以及所述相应的发光单元经布置以使得所述发光单元的一者的所述上电极极板和所述下电极相对于所述发光单元的相邻的另一者的上电极极板和下电极而对称。
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