[发明专利]发光二极管有效
| 申请号: | 200810084015.5 | 申请日: | 2008-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN101271915A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
| 发明(设计)人: | 尹丽镇;金锺奎;李俊熙 | 申请(专利权)人: | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明的AC LED包括:衬底;以及至少一个串联阵列,其具有串联连接在衬底上的多个发光单元。发光单元的每一者包括:下半导体层,其由形成于衬底的顶部上的第一导电化合物半导体层组成;上半导体层,其由形成于下半导体层顶部上的第二导电化合物半导体层组成;活性层,其介于下半导体层与上半导体层之间;下电极,其形成于下半导体层上且在衬底的第一角落处暴露;上电极层,其形成于上半导体层上;以及上电极极板,其形成于上电极层上且在衬底的第二角落处暴露。上电极极板和下电极分别安置在对角线上彼此相对的角落处,且相应的发光单元经布置以使得发光单元的一者的上电极极板和下电极相对于发光单元的相邻的另一者的上电极极板和下电极而对称。 | ||
| 搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种AC发光装置(LED),其包括:衬底;以及至少一个串联阵列,其具有串联连接在所述衬底上的多个发光单元,其中所述发光单元的每一者包括:下半导体层,其由形成于所述衬底的顶部上的第一导电化合物半导体层组成;上半导体层,其由形成于所述下半导体层顶部上的第二导电化合物半导体层组成;活性层,其介于所述下半导体层与上半导体层之间;下电极,其形成于所述下半导体层上且在所述衬底的第一角落处暴露;上电极层,其形成于所述上半导体层上;以及上电极极板,其形成于所述上电极层上且在所述衬底的第二角落处暴露,其中所述上电极极板和所述下电极分别安置在对角线上彼此相对的角落处,以及所述相应的发光单元经布置以使得所述发光单元的一者的所述上电极极板和所述下电极相对于所述发光单元的相邻的另一者的上电极极板和下电极而对称。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔OPTO仪器股份有限公司,未经首尔OPTO仪器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810084015.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





