[发明专利]发光二极管有效

专利信息
申请号: 200810084015.5 申请日: 2008-03-18
公开(公告)号: CN101271915A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 尹丽镇;金锺奎;李俊熙 申请(专利权)人: 首尔OPTO仪器股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L25/065
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 韩国京畿道安山市檀*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种AC发光装置(LED),其包括:

衬底;以及

至少一个串联阵列,其具有串联连接在所述衬底上的多个发光单元,

其中所述发光单元的每一者包括:下半导体层,其由形成于所述衬底的顶部上的第一导电化合物半导体层组成;上半导体层,其由形成于所述下半导体层顶部上的第二导电化合物半导体层组成;活性层,其介于所述下半导体层与上半导体层之间;下电极,其形成于所述下半导体层上且在所述衬底的第一角落处暴露;上电极层,其形成于所述上半导体层上;以及上电极极板,其形成于所述上电极层上且在所述衬底的第二角落处暴露,

其中所述上电极极板和所述下电极分别安置在对角线上彼此相对的角落处,以及

所述相应的发光单元经布置以使得所述发光单元的一者的所述上电极极板和所述下电极相对于所述发光单元的相邻的另一者的上电极极板和下电极而对称。

2.根据权利要求1所述的AC LED,其特征在于,所述串联阵列包括彼此反向并联连接的两个串联阵列。

3.根据权利要求2所述的AC LED,其特征在于,在彼此反向并联连接的所述两个串联阵列中,所述发光单元中定位在所述串联阵列的任何一者中的至少一者电连接到所述发光单元中定位在另一串联阵列中的对应一者。

4.根据权利要求1所述的AC LED,其特征在于,所述上电极层是透明电极层。

5.根据权利要求4所述的AC LED,其特征在于,所述透明电极层由氧化铟锡(ITO)或Ni/Au形成。

6.根据权利要求1所述的AC LED,其特征在于,所述上电极极板由选自Ni、Cr、Pd、Pt、W和Al的至少一者所形成。

7.根据权利要求6所述的AC LED,其特征在于,所述上电极极板包括至少一个层或合金层。

8.根据权利要求1所述的AC LED,其特征在于,所述下电极由选自Ni、Cr、Pd、Pt、W和Al的至少一者所形成。

9.根据权利要求8所述的AC LED,其特征在于,所述下电极包括至少一个层或合金层。

10.根据权利要求1所述的AC LED,其特征在于,所述活性层包含具有InxGa1-xN(0<x<1)阱层和InxGa1-xN(0≤x<1)势垒层的单个量子阱或多个量子阱结构。

11.根据权利要求10所述的AC LED,其特征在于,所述InxGa1-xN(0<x<1)阱层的In含量多于所述InxGa1-xN(0≤x<1)势垒层的In含量。

12.根据权利要求1所述的AC LED,其特征在于,所述第二导电化合物半导体层包含AlxGa1-xN(0≤x<1)。

13.一种AC LED,其包括:

两个或两个以上串联电连接的单一芯片,

其中所述单一芯片的每一者包括:

衬底;以及

至少一个串联阵列,其具有串联连接在所述衬底上的多个发光单元,

其中所述发光单元的每一者包括:下半导体层,其由形成于所述衬底的顶部上的第一导电化合物半导体层组成;上半导体层,其由形成于所述下半导体层顶部上的第二导电化合物半导体层组成;活性层,其介于所述下半导体层与上半导体层之间;下电极,其形成于所述下半导体层上且在所述衬底的第一角落处暴露;上电极层,其形成于所述上半导体层上;以及上电极极板,其形成于所述上电极层上且在所述衬底的第二角落处暴露,

其中所述上电极极板和所述下电极分别安置在对角线上彼此相对的角落处,且

所述相应的发光单元经布置以使得所述发光单元的一者的所述上电极极板和所述下电极相对于所述发光单元的相邻的另一者的上电极极板和下电极而对称。

14.根据权利要求13所述的AC LED,其特征在于,所述串联阵列包括彼此反向并联连接的两个串联阵列。

15.根据权利要求13所述的AC LED,其特征在于,所述两个或两个以上的单一芯片安装在相应的封装上且通过接合线而串联连接。

16.根据权利要求13所述的AC LED,其特征在于,所述两个或两个以上的单一芯片安装在相应的封装上,且所述封装串联连接着。

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