[发明专利]图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810083679.X 申请日: 2008-03-14
公开(公告)号: CN101266947A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 柳商旭 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L27/146
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑小军;冯志云
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:层间介电层,形成于半导体衬底之上;滤色镜阵列,形成于所述层间介电层之上;平坦化层,形成于所述滤色镜之上;以及微透镜阵列,具有连续、无间隙的形状,形成于所述平坦化层之上并且在空间上对应于所述滤色镜阵列。所述微透镜阵列由第一介电层和形成在所述第一介电层上的第二介电层构成。根据本发明的图像传感器的制造方法可以形成由无机物构成的微透镜阵列,从而能够防止微透镜被随后的封装工艺和凸点工艺等损坏。当形成微透镜阵列时,也可以防止由于等离子体蚀刻工艺而对微透镜阵列造成的蚀刻损坏,从而能够防止在等离子体工艺期间出现暗电流。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种方法,包括步骤:在形成有像素的半导体衬底之上,形成包括焊盘的层间介电层;在所述层间介电层之上,依次形成滤色镜和平坦化层;在所述平坦化层之上形成第一介电层;在所述第一介电层之上形成微透镜阵列掩模;利用所述微透镜阵列掩模作为蚀刻掩模蚀刻所述第一介电层,来形成籽晶微透镜阵列;通过将第二介电层沉积在所述籽晶微透镜阵列之上以及相邻的籽晶微透镜之间,来形成微透镜阵列;以及接着暴露所述焊盘,其中利用在27MHz下介于600W至1400W之间的源功率和在2MHz下介于0W至500W之间的偏置功率,在腔体中蚀刻所述第一介电层。
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