[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810083679.X | 申请日: | 2008-03-14 |
公开(公告)号: | CN101266947A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 柳商旭 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:层间介电层,形成于半导体衬底之上;滤色镜阵列,形成于所述层间介电层之上;平坦化层,形成于所述滤色镜之上;以及微透镜阵列,具有连续、无间隙的形状,形成于所述平坦化层之上并且在空间上对应于所述滤色镜阵列。所述微透镜阵列由第一介电层和形成在所述第一介电层上的第二介电层构成。根据本发明的图像传感器的制造方法可以形成由无机物构成的微透镜阵列,从而能够防止微透镜被随后的封装工艺和凸点工艺等损坏。当形成微透镜阵列时,也可以防止由于等离子体蚀刻工艺而对微透镜阵列造成的蚀刻损坏,从而能够防止在等离子体工艺期间出现暗电流。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种方法,包括步骤:在形成有像素的半导体衬底之上,形成包括焊盘的层间介电层;在所述层间介电层之上,依次形成滤色镜和平坦化层;在所述平坦化层之上形成第一介电层;在所述第一介电层之上形成微透镜阵列掩模;利用所述微透镜阵列掩模作为蚀刻掩模蚀刻所述第一介电层,来形成籽晶微透镜阵列;通过将第二介电层沉积在所述籽晶微透镜阵列之上以及相邻的籽晶微透镜之间,来形成微透镜阵列;以及接着暴露所述焊盘,其中利用在27MHz下介于600W至1400W之间的源功率和在2MHz下介于0W至500W之间的偏置功率,在腔体中蚀刻所述第一介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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