[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制造方法，包括步骤：

在形成有像素的半导体衬底之上，形成包括焊盘的层间介电层；

在所述层间介电层之上，依次形成滤色镜和平坦化层；

在所述平坦化层之上形成第一介电层；

在所述第一介电层之上形成微透镜阵列掩模；

利用所述微透镜阵列掩模作为蚀刻掩模蚀刻所述第一介电层，来形成籽 晶微透镜阵列；

通过将第二介电层沉积在所述籽晶微透镜阵列之上以及相邻的籽晶微 透镜之间，来形成微透镜阵列；以及接着

暴露所述焊盘，

其中利用在27MHz下介于600W至1400W之间的源功率和在2MHz下 介于0W至500W之间的偏置功率，在腔体中蚀刻所述第一介电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中暴露所述焊盘的步骤包括：

形成焊盘掩模，所述焊盘掩模选择性暴露与所述焊盘在空间上相对应的 第二介电层；

利用所述焊盘掩模，蚀刻所述焊盘的上部区域；以及接着

去除所述焊盘掩模。

3.如权利要求2所述的方法，其中在介于0℃至50℃之间的温度下， 利用O₂气体去除所述焊盘掩模。

4.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第一介电层的步骤包括： 将由CxHyFz构成的蚀刻气体以及Ar、He、O₂和N₂中的至少一种提供给所 述腔体，其中x，y和z为0或自然数。

5.如权利要求1所述的方法，其中在形成所述层间介电层之后，在所 述层间介电层之上形成钝化层。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述钝化层由氧化硅膜、氮化硅膜 和氮氧化硅膜中的至少一种构成。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述钝化层具有堆叠的、多层的结 构。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述堆叠的、多层的结构包括下钝 化层和上钝化层，所述下钝化层由厚度介于至之间的TEOS 膜构成，所述上钝化层由厚度介于至之间的氮化物膜构成。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一介电层和所述第二介电层 由氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的至少一种构成。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述籽晶微透镜阵列形成为厚度介 于至之间。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述微透镜阵列掩模与所述第一介 电层之间的蚀刻选择比介于1∶0.7至1∶1.3之间。

12.一种图像传感器的制造方法，包括步骤：

在半导体衬底之上形成包括金属焊盘的层间介电层；

在所述层间介电层之上形成滤色镜阵列；

在所述滤色镜之上形成平坦化层；

在所述平坦化层之上依次形成第一介电层和微透镜阵列掩模；

在所述第一介电层之上形成籽晶微透镜阵列；

通过在所述籽晶微透镜阵列之上以及相邻的籽晶微透镜之间沉积第二 介电层，形成具有连续、无间隙形状的微透镜阵列；

在所述微透镜阵列之上形成焊盘掩模；

形成暴露所述金属焊盘的焊盘孔；以及接着

去除所述焊盘掩模。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第一介电层的步骤包括： 利用CVD、PVD和PECVD中的至少一种，在0℃至50℃的温度下沉积厚 度介于至之间的氧化物膜。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述微透镜阵列掩模包括：多个 微透镜掩模，间隔地形成在所述第一介电层之上，并在空间上对应于所述滤 色镜阵列中的各个滤色镜。

15.如权利要求12所述的方法，其中形成所述籽晶微透镜阵列的步骤 包括：利用所述微透镜阵列掩模作为蚀刻掩模在所述第一介电层上实施蚀刻 工艺。