[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810083557.0 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101290912A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 竹村康司;平野博茂;伊藤丰;佐野光;小池功二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/522;H01L23/58;H01L21/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于：包括：形成在基板上的层间绝缘膜，形成在位于上述基板的芯片区域的上述层间绝缘膜中的布线，形成在位于上述芯片区域的周缘部的上述层间绝缘膜中且连续围绕上述芯片区域的密封环，以及形成在设置有上述布线和上述密封环的上述层间绝缘膜上的第一保护膜；在从上述芯片区域来看位于上述密封环外侧的上述第一保护膜中设置有第一开口部，上述层间绝缘膜在该第一开口部中露出。
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