[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

包括：形成在基板上的层间绝缘膜，

形成在位于上述基板的芯片区域的上述层间绝缘膜中的布线，

形成在位于上述芯片区域的周缘部的上述层间绝缘膜中且围绕上述芯 片区域的密封环，以及

形成在设置有上述布线和上述密封环的上述层间绝缘膜上的第一保护 膜；

上述第一保护膜设置有第一开口部，该第一开口部使上述密封环及上 述层间绝缘膜各自的至少一部分从上述第一保护膜露出，

上述第一开口部包括：设置了与上述密封环相接的盖层的第一区域； 和从上述芯片区域看位于比上述密封环更靠外侧的位置且未形成盖层的第 二区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在位于上述第二区域的上述层间绝缘膜露出于上述第一开口部的部分 中，形成有槽。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一区域与上述第二区域相互邻接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一区域与上述第二区域之间存在有上述第一保护膜的一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

在位于上述第一区域与上述第二区域之间的上述第一保护膜的上述第 二区域一侧的侧面，形成有由与上述盖层的材料相同的材料构成的侧壁隔 离物。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

上述侧壁隔离物的下表面位于比上述第一保护膜的下表面靠下方的位 置。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

位于上述第二区域的上述层间绝缘膜露出于上述第一开口部的部分的 表面位于比上述侧壁隔离物的下表面更靠下方的位置。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

按照连续地覆盖上述第一开口部的上述第一区域和上述第一保护膜的 方式，形成有盖层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

形成有覆盖从上述第一开口部来看位于上述芯片区域的相反一侧的上 述第一保护膜的端部的其它盖层。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在位于上述布线上的上述第一保护膜中设置有衬垫用开口部，在该衬 垫用开口部形成有与上述布线连接在一起的衬垫。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在位于上述布线上的上述第一保护膜中设置有最上层布线用开口部， 在该最上层布线用开口部形成有与上述布线连接在一起的最上层布线。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：

在上述第一保护膜上形成有覆盖上述最上层布线的第二保护膜，

在位于上述第一开口部上的上述第二保护膜中设置有第二开口部。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：

从上述第一开口部来看位于上述芯片区域的相反一侧的上述第一保护 膜的端部、与从上述第二开口部来看位于上述芯片区域的相反一侧的上述 第二保护膜的端部错开着。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：

从上述第二开口部来看位于上述芯片区域的相反一侧的上述第二保护 膜的端部，位于从上述第一开口部来看位于上述芯片区域的相反一侧的上 述第一保护膜的上侧。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：

从上述第一开口部来看位于上述芯片区域的相反一侧的上述第一保护 膜的端部，位于从上述第二开口部来看位于上述芯片区域的相反一侧的上 述第二保护膜的下侧。