[发明专利]发光二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 200810083316.6 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527340A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 詹玄塘 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其形成方法。本发明的发光二极管包含具有第一基板、第一导电半导体层、发光层及第二导电半导体层的外延芯片；第二基板，承载外延芯片；绝缘层位于第二基板上，绝缘层具有与外延芯片的一侧邻接的第一部分及与外延芯片的另一侧邻接的第二部分；第一电极，位于绝缘层的第一部分上；及第二电极，位于绝缘层的第二部分上，其中第一电极与第二电极分别电连接第一导电半导体层及第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包含：外延芯片，该外延芯片具有第一基板、第一导电半导体层、发光层及第二导电半导体层；第二基板，承载该外延芯片；绝缘层位于该第二基板上，该绝缘层具有与该外延芯片的一侧邻接的第一部分，及与该外延芯片的另一侧邻接的第二部分；第一电极，位于该绝缘层的该第一部分上；及第二电极，位于该绝缘层的该第二部分上，其中该第一电极电连接该第一导电半导体层，且该第二电极电连接该第二导电半导体层。
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