[发明专利]发光二极管及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其形成方法，特别涉及将电极设置在绝缘 层上方的发光二极管及其形成方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode；LED)因具有生产成本低、结构简单、 低耗电、体积小以及安装容易的优势，而大量运用于照明光源以及显示器技 术中。

图1显示一般传统的发光二极管10，其包含基板11、黏着层12、外延 结构13及形成在外延结构13上方的电极14与15。这种结构，虽具有较佳 的电流分布效果，但发光二极管所发出的光向上输出时，容易被电极14与 15所吸收或产生散射，导致光输出强度降低。由于亮度提升始终是发光二极 管技术发展的主要趋势，因此需要一种新颖的方法来解决现有的问题。

发明内容

本发明系揭示一种发光二极管，其阴极和阳极设置在外延结构周围的绝 缘层上方，而没有设置在外延结构上。本发明更利用透明导电层使阴极和阳 极电连接外延结构的导电半导体层，因此不但可达成发光的功能，更可避免 阴极和阳极正面地阻挡发光层的光线的输出，以提升发光二极管的亮度。

在一方面，本发明一种发光二极管，包含外延芯片，该外延芯片具有第 一基板、第一导电半导体层、发光层及第二导电半导体层；第二基板，承载 该外延芯片；绝缘层位于该第二基板上，该绝缘层具有与该外延芯片的一侧 邻接的第一部分，及与该外延芯片的另一侧邻接的第二部分；第一电极，位 于该绝缘层的该第一部分上；及第二电极，位于该绝缘层的该第二部分上， 其中该第一电极电连接该第一导电半导体层，且该第二电极电连接该第二导 电半导体层。

在另一方面，本发明提供一种发光二极管的形成方法，包含提供至少一 个外延芯片，该至少一个外延芯片具有第一导电半导体层及第二导电半导体 层；将该至少一个外延芯片连接至第一基板上；在该第一基板上形成绝缘 层，该绝缘层具有与该外延芯片的一侧邻接的第一部分，及与该外延芯片的 另一侧邻接的第二部分；及在该绝缘层上形成第一电极及第二电极，其中该 第一电极电连接该第一导电半导体层，该第二电极电连接该第二导电半导体 层。

附图说明

图1显示已知的发光二极管的剖面图。

图2A、2B及图3至图10为依据实施例显示本发明的发光二极管制作 过程的结构剖面图。

10发光二极管                        11基板

12黏着层                            13外延结构

14电极                              15电极

21基板                              22第一导电半导体层

23发光层                            24第二导电半导体层

24a上表面                           26外延芯片

26a第一侧                           26b第二侧

31基板                              32反射层

33黏着层                            41间隔

51绝缘层                            51a第一部分

51b第二部分                         71沟渠

81a第一透明导电层                   81b第二透明导电层

91a第一电极                         91b第二电极

具体实施方式

以下将参考附图示范本发明的较佳实施例。附图中相似组件采用相同的 组件符号。应注意为了清楚呈现本发明，附图中的各组件并非按照实物的比 例绘制，而且为避免模糊本发明的内容，以下说明亦省略已知的零组件、相 关材料、及其相关处理技术。