[发明专利]磁记录介质用硅衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 200810082933.4 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101299334A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 大桥健 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/73 | 分类号： | G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁记录介质用硅衬底及其制造方法。在粗研磨后的多晶硅衬底表面涂布含有硅酮类材料或有机二氧化硅的液剂，得到遮蔽台阶或晶粒间界的平滑薄膜之后，在适当的温度下对该薄膜进行热处理而使有机成分气化挥散，由此形成SiO2膜，对该SiO2膜进行CMP研磨等精密研磨，从而提高衬底的平坦性。由此，不受多晶晶粒的晶向不同及晶粒间界存在的影响，可以得到平坦且平滑的表面(波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下)。由此得到的磁记录介质用Si衬底，具有充分的耐冲击性，不会使加工工艺或磁记录层的成膜工艺复杂化，表面平坦性优良，并且可以降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质用硅衬底，其中，在纯度为99.99％以上的多晶硅衬底的主面上具有氧化膜，并且波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下。
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