[发明专利]磁记录介质用硅衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种磁记录介质用硅衬底，其中，在纯度为99.99％以上的多晶硅衬底的主面上具有氧化膜，并且波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下。

2.权利要求1所述的磁记录介质用硅衬底，其中，所述硅衬底的直径为90mm以下。

3.权利要求1或2所述的磁记录介质用硅衬底，其中，所述氧化膜的厚度为1000nm以下且10nm以上。

4.一种磁记录介质，其中，在权利要求1或2所述的硅衬底上具有磁记录层。

5.一种制造磁记录介质用硅衬底的方法，其中包括：在纯度为99.99％以上的多晶硅衬底的主面上形成氧化膜的工序、和将该氧化膜进行平坦化的研磨工序，所述氧化膜形成工序通过在多晶硅衬底的主面上旋涂有机二氧化硅或硅酮类材料并进行热处理而实施。

6.一种制造磁记录介质用硅衬底的方法，其中包括：在纯度为99.99％以上的多晶硅衬底的主面上形成氧化膜的工序、和将该氧化膜进行平坦化的研磨工序，所述氧化膜形成工序通过将多晶硅衬底的主面进行热氧化而实施。

7.权利要求5或6所述的制造磁记录介质用硅衬底的方法，其中，所述研磨工序中，通过在所述氧化膜上进行使用中性或碱性浆料的CMP处理，使衬底的波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下。