[发明专利]跨导器与混频电路无效
| 申请号： | 200810082819.1 | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101309075A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘荣全 | 申请（专利权）人： | 联发科技（新加坡）私人有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/02 | 分类号： | H03H11/02;H03D7/14;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 新加坡亚*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供一种跨导器与混频电路。所述跨导器包括第一有源器件网络与第二有源器件网络，所述第一有源器件网络有第一节点与第二节点，且包括第一金属氧化物半导体晶体管，所述第一金属氧化物半导体晶体管具有栅极、耦接至第一节点的源极以及耦接至第二节点的漏极；第二有源器件网络具有分别耦接至第一有源器件网络的第一节点与第二节点的第一节点与第二节点，且包括第二金属氧化物半导体晶体管，第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极分别耦接至第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极，其中，第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管分别操作于饱和区与三极管区，使得金属氧化物半导体晶体管所产生的非线性度被抵消。 | ||
| 搜索关键词： | 跨导器 混频 电路 | ||
【主权项】：
1.一种跨导器，其特征在于，所述跨导器包括：第一有源器件网络，具有第一节点与第二节点，且包括第一金属氧化物半导体晶体管，所述第一金属氧化物半导体晶体管具有栅极、耦接至所述第一节点的源极以及耦接至所述第二节点的漏极；第二有源器件网络，具有第一节点与第二节点，所述第一节点与第二节点分别耦接至所述第一有源器件网络的第一节点与第二节点，且包括耦接于所述第一节点与第二节点之间的第二金属氧化物半导体晶体管，所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极分别耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极；其中，所述第一金属氧化物半导体晶体管与所述第二金属氧化物半导体晶体管分别操作于饱和区与三极管区。
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