[发明专利]跨导器与混频电路

权利要求书

1. 一种跨导器，其特征在于，所述跨导器包括：

第一有源器件网络，具有第一节点与第二节点，且包括第一金属氧化物半导体晶体管，所述第一金属氧化物半导体晶体管具有栅极、耦接至所述第一节点的源极以及耦接至所述第二节点的漏极；

第二有源器件网络，具有第一节点与第二节点，所述第一节点与第二节点分别耦接至所述第一有源器件网络的第一节点与第二节点，且包括耦接于所述第一节点与第二节点之间的第二金属氧化物半导体晶体管，所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极分别耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极；

其中，所述第一金属氧化物半导体晶体管与所述第二金属氧化物半导体晶体管分别操作于饱和区与三极管区。

2. 根据权利要求1所述的跨导器，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体晶体管与所述第二金属氧化物半导体晶体管的偏压电压是由同一偏压网络所提供。

3. 根据权利要求1所述的跨导器，其特征在于，所述跨导器还包括压降产生器，耦接于所述第二金属氧化物半导体晶体管的漏极与所述第一有源器件网络的第二节点、第二有源器件网络的第二节点之间，并于其间产生电压降。

4. 根据权利要求3所述的跨导器，其特征在于，所述压降产生器包括二极管，所述二极管具有阳极以及阴极，所述阳极耦接至第一有源器件网络的第二节点与第二有源器件网络的第二节点，所述阴极耦接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的漏极。

5. 根据权利要求3所述的跨导器，其特征在于，所述压降产生器包括电阻，其耦接于所述第一有源器件网络的第二节点、所述第二有源器件网络的第二节点与所述第二金属氧化物半导体晶体管的漏极之间。

6. 根据权利要求3所述的跨导器，其特征在于，所述压降产生器包括第三金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至所述第一有源器件网络的第二节点与所述第二有源器件网络的第二节点，以及源极耦接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的漏极。

7. 一种混频电路，其特征在于，所述混频电路包括：

跨导器，包括：

第一有源器件网络，具有第一节点与第二节点，且包括第一金属氧化物半导体晶体管，所述第一金属氧化物半导体晶体管具有栅极、耦接至所述第一节点的源极以及耦接至所述第二节点的漏极；

第二有源器件网络，具有第一节点与第二节点，所述第一节点与第二节点分别耦接至所述第一有源器件网络的第一节点与第二节点，且包括耦接于所述第一节点与第二节点之间的第二金属氧化物半导体晶体管，所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极分别耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极；

其中，所述第一金属氧化物半导体晶体管与所述第二金属氧化物半导体晶体管分别操作于饱和区与三极管区，所述第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管的所述多个栅极接收第一差分输入信号，且所述第一有源器件网络与第二有源器件网络的所述多个第一节点耦接至第一供应电压；

吉尔伯特单元混频核心，接收第二差分输入信号，且具有多个第三节点以及多个第四节点，所述多个第三节点耦接至所述第一有源器件网络与第二有源器件网络的所述多个第二节点，以及所述多个第四节点提供差分输出信号；

一对电阻，分别耦接于所述吉尔伯特单元混频核心的所述多个第四节点与第二供应电压之间。

8. 根据权利要求7所述的混频电路，其特征在于，所述混频电路还包括偏压网络，提供偏压电压给所述第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管。

9. 根据权利要求7所述的混频电路，其特征在于，所述混频电路还包括压降产生器，耦接于所述第二金属氧化物半导体晶体管的漏极与第一有源器件网络的第二节点、第二有源器件网络的第二节点之间，并于其间产生电压降。

10. 根据权利要求9所述的混频电路，其特征在于，所述压降产生器包括二极管，所述二极管具有阳极以及阴极，所述阳极耦接至第一有源器件网络的第二节点与第二有源器件网络的第二节点，所述阴极耦接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的漏极。

11. 根据权利要求9所述的混频电路，其特征在于，所述压降产生器包括电阻，其耦接于所述第一有源器件网络的第二节点、所述与第二有源器件网络的第二节点与所述第二金属氧化物半导体晶体管的漏极之间。