[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

提供一种半导体装置的制造方法，其中在形成于绝缘衬底上的多个半导体膜表面上形成覆盖膜，使用能够使半导体膜在膜厚度方向上完全熔化的激光束照射半导体膜，使得半导体膜完全熔化。在同一个衬底上形成通过控制激光束而晶体的晶面取向被控制的多个晶体半导体膜。此外，使用晶面取向为{001}的晶体区域制造n沟道型薄膜晶体管，并且使用晶面取向为{211}或{101}的晶体区域制造p沟道型薄膜晶体管。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：在绝缘衬底上形成非晶半导体膜；在所述非晶半导体膜中的第一非晶区域和第二非晶区域上形成覆盖膜；在形成所述覆盖膜的工序之后，通过使用第一连续振荡激光束或重复频率为10MHz以上的第一脉冲激光束照射所述第一非晶区域，来形成第一晶体区域；以及在形成所述覆盖膜的工序之后，通过使用第二连续振荡激光束或重复频率为10MHz以上的第二脉冲激光束照射所述第二非晶区域，来形成第二晶体区域，其中，在所述第一晶体区域的第一晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第一晶体区域表面的第一晶面取向为{001}并且，在所述第二晶体区域的第二晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第二晶体区域表面的第二晶面取向为{211}或{101}。