[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：

在绝缘衬底上形成非晶半导体膜；

在所述非晶半导体膜中的第一非晶区域和第二非晶区域上形成覆盖膜；

在形成所述覆盖膜的工序之后，通过使用第一连续振荡激光束或重复频率为10MHz以上的第一脉冲激光束照射所述第一非晶区域，来形成第一晶体区域；以及

在形成所述覆盖膜的工序之后，通过使用第二连续振荡激光束或重复频率为10MHz以上的第二脉冲激光束照射所述第二非晶区域，来形成第二晶体区域，

其中，在所述第一晶体区域的第一晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第一晶体区域表面的第一晶面取向为{001}

并且，在所述第二晶体区域的第二晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第二晶体区域表面的第二晶面取向为{211}或{101}。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述覆盖膜由SiN_xO_y(0≤x≤1.5，0≤y≤2，0≤4x+3y≤6)形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述覆盖膜的厚度为200nm以上且1000nm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括以下工序：

在形成所述覆盖膜的工序之前，加热所述非晶半导体膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括以下工序：

在形成所述覆盖膜的工序之前，对所述非晶半导体膜添加元素，

其中所述元素是选自镍、钯、锗、铁、锡、铅、钴、铂、铜、以及金中的一种。

6.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：

在绝缘衬底上形成非晶半导体膜；

在所述非晶半导体膜中的第一非晶区域上形成第一覆盖膜；

在所述非晶半导体膜中的第二非晶区域上形成第二覆盖膜；

在形成所述第一覆盖膜的工序之后，通过使用第一连续振荡激光束或重复频率为10MHz以上的第一脉冲激光束照射所述第一非晶区域，来形成第一晶体区域；以及

在形成所述第二覆盖膜的工序之后，通过使用第二连续振荡激光束或重复频率为10MHz以上的第二脉冲激光束照射所述第二非晶区域，来形成第二晶体区域，

其中，在所述第一晶体区域的第一晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第一晶体区域表面的第一晶面取向为{001}

并且，在所述第二晶体区域的第二晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第二晶体区域表面的第二晶面取向为{211}或{101}。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜中的至少一个由SiN_xO_y(0≤x≤1.5，0≤y≤2，0≤4x+3y≤6)形成。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜中的至少一个的厚度为200nm以上且1000nm以下。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括以下工序：

在形成所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜中的至少一个的工序之前，加热所述非晶半导体膜。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括以下工序：

在形成所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜中的至少一个的工序之前，对所述非晶半导体膜添加元素，

其中所述元素是选自镍、钯、锗、铁、锡、铅、钴、铂、铜、以及金中的一种。