[发明专利]低温接收放大器以及放大方法无效
| 申请号： | 200810081308.8 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101252344A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木恭宜;楢桥祥一 | 申请（专利权）人： | 株式会社NTT都科摩 |
| 主分类号： | H03F3/60 | 分类号： | H03F3/60;H03F1/26;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种低温接收放大器(100)，在极低温的环境下，将氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)(110)作为放大元件来使用，其包括：输入匹配电路(120)，进行放大元件的栅极和输入端子(T1)的外部之间的阻抗匹配；栅极偏置电路(130)，对放大元件的栅极施加直流电压；输出匹配电路(140)，进行放大元件的漏极和输出端子(T2)的外部之间的阻抗匹配；以及漏极偏置电路(150)，对放大元件的漏极施加直流电压。此外，将冷却温度设为150K以下较好。也可以对GaN HEMT(110)照射蓝色LED。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 接收 放大器 以及 放大 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温接收放大器，在极低温的环境下所使用，其包括：作为放大元件的氮化镓高电子迁移率晶体管；输入匹配电路，进行所述放大元件的栅极和所述低温接收放大器的输入端子的外部之间的阻抗匹配；栅极偏置电路，对所述放大元件的栅极施加直流电压；输出匹配电路，进行所述放大元件的漏极和所述低温接收放大器的输出端子的外部之间的阻抗匹配；以及漏极偏置电路，对所述放大元件的漏极施加直流电压。
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