[发明专利]低温接收放大器以及放大方法

权利要求书

1.一种低温接收放大器，在极低温的环境下所使用，其包括：

作为放大元件的氮化镓高电子迁移率晶体管；

输入匹配电路，进行所述放大元件的栅极和所述低温接收放大器的输入端子的外部之间的阻抗匹配；

栅极偏置电路，对所述放大元件的栅极施加直流电压；

输出匹配电路，进行所述放大元件的漏极和所述低温接收放大器的输出端子的外部之间的阻抗匹配；以及

漏极偏置电路，对所述放大元件的漏极施加直流电压。

2.如权利要求1所述的低温接收放大器，其中

所述栅极偏置电路包括基于极低温下的栅极电阻所设计的电阻分压电路。

3.一种低温接收放大器，其包括：

第1级的放大器，作为放大元件而包括砷化镓高电子迁移率晶体管；以及

第2级的放大器，作为第2级而连接在所述第1级的放大器的输出，且包括权利要求1所述的低音接收放大器。

4.如权利要求1至权利要求3的任一项所述的低温接收放大器，其中被冷却为150K以下。

5.如权利要求1至权利要求3的任一项所述的低温接收放大器，具有：

对所述氮化镓高电子迁移率晶体管照射至少包括相当于氮化镓的带隙的波长的光分量的光的光照射部件。

6.如权利要求5所述的低温接收放大器，其中

所述光照射部件包括蓝色发光二极管。

7.如权利要求6所述的低温接收放大器，包括：

积分器，对所述氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极-源极间电流进行积分；

比较器，求所述积分器的输出和基准电流值之间的差；以及控制器，控制所述蓝色发光二极管的正向电流，使得所述比较器的输出为0。

8.一种低温接收放大器的放大方法，所述低温接收放大器在极低温的环境下所使用，所述放大方法包括：

将所述低温接收放大器冷却到150K以下的步骤；以及使用氮化镓高电子迁移率晶体管作为所述低温接收放大器的放大元件，对输入信号进行放大，并输出所放大的信号的步骤。

9.如权利要求8所述的低温接收放大器的放大方法，还包括：

对所述氮化镓高电子迁移率晶体管照射至少包括相当于氮化镓的带隙的波长的光分量的光的步骤。

10.如权利要求4所述的低温接收放大器，具有：

对所述氮化镓高电子迁移率晶体管照射至少包括相当于氮化镓的带隙的波长的光分量的光的光照射部件。

11.如权利要求10所述的低温接收放大器，其中

所述光照射部件包括蓝色发光二极管。

12.如权利要求11所述的低温接收放大器，包括：

积分器，对所述氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极-源极间电流进行积分；

比较器，求所述积分器的输出和基准电流值之间的差；以及

控制器，控制所述蓝色发光二极管的正向电流，使得所述比较器的输出为0。